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多晶硅生产与应用技术资料

1、多晶硅薄膜制备工艺研究

  多晶硅薄膜集晶体硅和非晶硅材料优点于一身,克服了光致衰退,与现有的太阳能电池研究生产技术具有兼容性,有可能成为制作太阳能电池的廉价优质材料。 等离子体辅助化学气相沉积方法(PECVD)是制备薄膜材料的几种方法中技术最为成熟、操作较为简单的一种,并且可以制备均匀性高的大面积薄膜。但是采用PECVD方法沉积多晶硅薄膜仍面临着两大难题:一是薄膜的晶化率有待提高;二是薄膜的生长速率也有待提高。薄膜的晶化率决定电池的性能,生长速率决定其成本,因此高速制备优质薄膜是制作太阳能电池的关键。为解决这些问题,目前研究人员多致力于沉积条件的优化以与如“二次晶化”等辅助手段的采用。 本文采用PECVD方法,系统研究了沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数对多晶硅薄膜结晶状态与光电性能的影响,并对沉积出的多晶硅薄膜进行了固相晶化............共43页

2、多晶硅薄膜的制备和表征

  在制备高质量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作,通过激光Raman谱和X射线衍射仪(XRD)对热处理前后的等离子体化学气相沉积(PECVD)法和电子束蒸发(EBE)法所制的硅薄膜进行了分析。首先,以PECVD法为硅薄膜制备技术,实验取得了如下结果:对PECVD法制备多晶硅薄膜的六个影响参数的调节方案是固定五个参数而调节余下的一个参数。其中,五个参数皆有三个对应的可调值:氢气和硅烷气体流量比有100sccm的1sccm、100sccm的5sccm和50sccm的5sccm,射频功率有50W、30W和10W,衬底温度有350℃、200℃和常温,工作压强有24Pa、48Pa和72Pa,而沉积时............共64页

3、太阳能电池用多晶硅薄膜的研究

  研究了多晶硅薄膜的制备方法,低温下快速光热退火(RPTA)和高温下陶瓷衬底上快热化学气相沉积(RTCVD),硅膜的生长与区熔再结晶(ZMR),用高温方式在陶瓷衬底上做了太阳电池的尝试,在高温方式下做了层转移新方式的探索。1.等离子增强化学气相沉积(PECVD)是低温沉积硅膜的主要方法。本文的第二章中对PECVD沉积多晶硅薄膜做了研究。分析了不同沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等参数对多晶硅薄膜结晶状态与光电性能的影响。2.固相晶化法(SPC)是制备大晶粒多晶硅薄膜的主要方法。本文的第三章对SPC,特别是对卤钨灯............共160页

4、在柔性衬底上制备多晶硅薄膜的研究

  主要研究柔性衬底材料上多晶硅薄膜的制备,并对生长过程和薄膜性质进行分析表征。与非晶硅薄膜相比,多晶硅薄膜具有可与晶体硅相比拟的高迁移率,结构和性能稳定,没有严重的光致衰减效应,可作为理想的光伏器件材料;另一方面薄膜太阳电池的衬底对光伏器件的性能和应用范围也有重要的影响,柔性衬底材料具有可卷曲、质量轻、便于运输、易于大面积卷轴生产以与用途广泛等优点,发展前景广阔。因此,在柔性衬底材料上制备多晶硅薄膜具有重要的科学意义和应用前景。分别利用热丝化学沉积法、等离子体增强气相沉积法以与金属诱导法制备硅薄膜,应用场发射扫描电镜对薄膜形貌进行观察,应用激光拉曼谱仪和X射线衍射仪对薄膜结晶性进行分析............共72页

5、热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究

  主要内容是热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜工艺的研究与利用铝诱导固相晶化法增大晶粒尺寸的研究。采用自行加工设计的HWCVD系统制备多晶硅薄膜,系统研究了不同沉积参数(沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类)对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件:沉积气压42Pa,衬底温度250℃,衬底与热丝间距离48mm,在玻璃衬底上制备出晶态比Xc>90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为200-500nm,纵向晶粒尺寸为30nm左右的优质多晶硅薄膜。将反应气体中混入一定比例氩气,研究不同氩气含量对薄膜性质的影响............共40页

6、多晶硅化学气相沉积方法和装置
7、多晶硅薄膜的制造方法
8、用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
9、制作多晶硅-多晶硅 MOS叠层电容器的方法
10、多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
11、多晶硅的评价方法
12、N型掺杂多晶硅的制造方法
13、在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
14、液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管与其制造方法
15、横向多晶硅PIN二极管与其制造方法
16、制备多晶硅颗粒的方法和装置
17、多晶硅、其生产方法与生产装置
18、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
19、多晶硅棒与其加工方法
20、由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
21、去除多晶硅残留的方法
22、去除多晶硅残留的方法
23、多晶硅间介电层的制造方法
24、多晶硅膜的制造方法
25、采用多晶硅温度二极管的集成风速计与其制造方法
26、轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管与其制作方法
27、低温多晶硅有机电激发光装置的制法
28、多晶硅结晶方法、薄膜晶体管与其液晶显示器的制造方法
29、降低多晶硅层洞缺陷的方法
30、用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
31、多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
32、多晶硅层的制作方法
33、多晶硅层的制作方法
34、利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
35、多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
36、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制与其检测方法
37、多晶硅薄膜结晶品质的检测装置与其检测与控制方法
38、制作多晶硅薄膜的方法
39、多晶硅界定阶跃恢复器件
40、形成多晶硅层的方法以与制造多晶硅薄膜晶体管的方法
41、一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
42、用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
43、利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
44、一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
45、低温多晶硅薄膜的制造方法
46、低温多晶硅薄膜晶体管与其多晶硅层的制造方法
47、多晶硅薄膜晶体管与其制造方法
48、多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
49、低温多晶硅薄膜晶体管与其制造方法
50、低温多晶硅薄膜的制造方法与低温多晶硅薄膜晶体管
51、低温多晶硅薄膜电晶体的结构
52、采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
53、将非晶硅转换为多晶硅的方法
54、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
55、低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
56、薄膜晶体管的多晶硅制造方法
57、多晶硅薄膜的制造方法
58、多晶硅层的处理方法
59、低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
60、多晶硅层的结晶方法
61、低温多晶硅平面显示面板
62、多晶硅薄膜的制造方法
63、形成多晶硅层与多晶硅薄膜晶体管的方法
64、形成多晶硅层的方法
65、多晶硅的蚀刻方法
66、多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
67、形成多晶硅结构
68、在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
69、利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
70、制备多晶硅的方法
71、多晶硅的定向生长方法
72、一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
73、低温多晶硅薄膜的制造方法
74、多晶硅细脉熔丝
75、具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
76、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
77、一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
78、形成T型多晶硅栅极的方法
79、形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
80、多晶硅氢还原炉
81、低温多晶硅薄膜电晶体基板与其制作方法
82、低温多晶硅显示装置与其制作方法
83、形成多晶硅锗层的方法
84、彩色多晶硅微粒与其制备方法
85、以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法与其光罩图案
86、底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
87、多晶硅化金属栅极结构与其制造方法
88、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
89、应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构与其方法
90、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
91、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
92、改善栅极多晶硅层电阻值的方法
93、多晶硅液晶显示器件的制造方法
94、制造多晶硅层的方法
95、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
96、一种制备多晶硅绒面的方法
97、半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管与其制造方法
98、多晶硅薄膜晶体管制造方法
99、形成多晶硅薄膜的方法,包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管与其制造方法
100、半导体器件与制作一低温多晶硅层的方法
101、制造多晶硅薄膜的方法与用其制造晶体管的方法
102、具有多晶硅熔丝的半导体器件与其微调方法
103、制作低温多晶硅薄膜的方法
104、平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
105、多晶硅膜的形成方法
106、多晶硅膜的形成方法
107、多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
108、用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
109、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
110、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
111、包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件与其制造方法
112、多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
113、超小粒径多晶硅的结构和方法
114、制造内层多晶硅介电层的方法
115、制造多晶硅层的方法与其光罩
116、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
117、多晶硅薄膜制造方法以与使用该多晶硅薄膜的设备
118、无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
119、硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
120、精密多晶硅电阻器工艺
121、激光薄膜多晶硅退火光学系统
122、激光薄膜多晶硅退火系统
123、用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
124、薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
125、多晶硅薄膜的制造方法
126、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法与检测装置
127、光罩与应用其形成多晶硅层的方法
128、制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
129、浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料与制备和应用
130、溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料与制备和应用
131、一种制备多晶硅的方法
132、多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件与制作方法
133、电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
134、多晶硅栅极掺杂方法
135、多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构与检测方法
136、多晶硅薄膜晶体管的制作方法
137、在半导体装置中形成多晶硅层的方法
138、具复合多晶硅层的半导体结构与其应用的显示面板
139、多晶硅薄膜晶体管的形成方法
140、一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片与其制备方法
141、具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法与平板显示器
142、一种生产多晶硅用的还原炉
143、多晶硅的生产装置
144、限定多晶硅图案的方法
145、多晶硅的制造方法
146、具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
147、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
148、制备多晶硅薄膜的方法以与用其制备半导体器件的方法
149、用于连续横向固化技术的掩膜与用其形成多晶硅层的方法
150、高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
151、带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器与其制作工艺
152、高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
153、多晶硅炉的喷嘴
154、多晶硅太阳电池绒面的制备方法
155、多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板与其制造方法
156、低温多晶硅薄膜晶体管显示面板与其制造方法
157、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
158、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
159、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
160、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
161、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
162、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
163、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
164、减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
165、一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
166、铸模与其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
167、双掺杂多晶硅与锗化硅的蚀刻
168、多晶硅板制备方法
169、用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置与通过该装置进行掺杂的方法
170、多晶硅层以与薄膜晶体管的制造方法
171、多晶硅膜的制造方法以与薄膜晶体管的制造方法
172、采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
173、一种制备太阳能级多晶硅的方法
174、P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
175、多晶硅 体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
176、多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
177、一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
178、单晶硅拉制炉与多晶硅冶炼炉用炭 炭隔热屏的制备方法
179、单晶硅拉制炉与多晶硅冶炼炉用炭 炭加热器的制备方法
180、一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
181、直接沉积多晶硅的方法
182、用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
183、用于沉积多晶硅的CVD装置
184、具有平坦表面的多晶硅薄膜与其制造方法
185、廉价多晶硅薄膜太阳电池
186、一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
187、表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
188、一种太阳能级多晶硅的生产方法
189、一种锌还原法生产多晶硅的工艺
190、适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
191、一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
192、多晶硅横向结晶方法以与应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
193、一种单一内嵌多晶硅存储结构与其操作方法
194、激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
195、形成多晶硅薄膜的方法
196、择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
197、多晶硅薄膜的制作方法
198、形成多晶硅薄膜的方法
199、形成多晶硅薄膜装置的方法
200、制作多晶硅薄膜的方法
201、用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
202、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
203、70纳米多晶硅栅刻蚀-氟化+反应离子刻蚀方法
204、单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器与其制造方法
205、具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置

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206、Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制
207、国内外多晶硅工业现状
208、太阳能电池用多晶硅材料国产化的几点思考
209、光退火制备多晶硅薄膜与量子态模型
210、热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向与形态的研究
211、用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析
212、铸造多晶硅的吸杂
213、低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
214、多晶硅的真空感应熔炼与定向凝固研究
215、金属诱导法制备多晶硅薄膜的研究进展
216、H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响
217、大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
218、基于PECVD制备多晶硅薄膜研究
219、对柱状多晶硅薄膜的制备研究
220、SiSiC陶瓷衬底上多晶硅薄膜的结构
221、用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜
222、复合材料:陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展
223、多晶硅薄膜制备的量子态模型
224、多晶硅薄膜材料与器件研究进展
225、低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜
226、铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究
227、铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响
228、ECR—PECVD方法低温制备多晶硅薄膜
229、多晶硅薄膜厚度测量技术
230、开口隔离层上多晶硅薄膜制备
231、金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜
232、用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究
233、利用快速热退火法制备多晶硅薄膜
234、多晶硅薄膜制备技术的研究进展
235、激光晶化多晶硅的制备与XRD谱
236、SiCl4-H2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响
237、以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜
238、以SiF4+H2为气源PECVD法低温制备多晶硅薄膜
239、PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究
240、用正交实验法优化多晶硅制备工艺参数
241、Al2O3衬底上多晶硅薄膜的外延和区熔再结晶
242、α—Si:H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜
243、金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展
244、等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究
245、多晶硅薄膜太阳电池将成为今后太阳电池市场的方向
246、电子级多晶硅生产工艺的热力学分析
247、多晶硅薄膜太阳能电池的研究进展
248、温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响
249、沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响
250、退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响
251、太阳能电池与多晶硅的生产
252、太阳能级多晶硅制备技术与工艺
253、热退火对太阳电池用多晶硅特性的影响
254、多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究
255、多晶硅产业现状与发展趋势分析

 

 


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