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抛光材料、抛光粉、抛光液生产配方专利技术资料汇编

1、铜化学机械抛光工艺的抛光液研究

  铜的化学机械抛光已经成为现代集成电路制造行业中发展最为迅速的工艺,在集成电路芯片制造的过程中它可以满足各种不同薄膜的平坦化要求.尽管铜化学机械抛光工艺的(略),但是相对来说它的理论基础研究还并不完善,尤其是硅片抛光液和抛光垫之间的相互作用关系,新的化学机械抛光工艺必然会有新的更复杂的化学剂配方加入.总之,对于下一代化学机械抛光工艺的发展(略)光液的基本原理以及进行改善是非常关键的. 抛光液的优劣主要有抛光率,平坦性以及缺陷的数量等几个参数反应.为了获得更加平坦的表面在抛光之前必须形成钝化层然后进行抛光,使用的化学(略)氧化氢(H2O2)等作为氧化剂来形成这个表面钝化层,其他的化学添加剂作为抑制剂或配位剂也会加入抛光液对氧化层进行调节..............共56页

2、铈基抛光粉的制备与其在CMP中的应用

  采用多种方法来制备铈基抛光粉,以期提高它们的抛光性能和方法的经济可行性。以大颗粒水合丙酸铈结晶为前驱体,通过简单的煅烧来合成纳米级氧化铈。研究了煅烧温度对合成产物物理性能的影响。结果表明:在丙酸铈热分解过程中,大晶体先解理成条块状,再断裂成更小的纳米氧化铈。用激光散射法测得的中位粒径先减小而后又增大,在1000℃时呈最小值,为460nm。XRD、SEM和TEM的观察结果表明:在该温度下煅烧得到了一次粒子为20-30nm的立方萤石型氧化铈;它们对冕玻璃(K9)和火石玻璃(F1)的抛光速率随煅烧温度的升高在1000℃呈极大值,与粒度变化的最小值,研究了各种浆料对光学玻璃和硅芯片的抛光速率。结果发现:抛光速率与CeO2浆料的悬浮稳定成正比关系..............共108页

3、氧化铝\聚丙烯酰胺复合磨粒的制备与其抛光性能的研究

  随着先进电子技术的飞速发展,对产品加工精度和表面质量的要求越来越高。化学机械抛光(简称CMP)技术几乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化。化学机械抛光液是CMP中关键的要素,而磨粒是化学机械抛光液中关键成分之一,其性能直接影响抛光后材料的表面质量。超细氧化铝是CMP常用磨粒,由于其易团聚与硬度大,抛光过程中易引起划痕,为此用化学接枝改性方法对超细氧化铝进行了表面改性,使丙烯酰胺在硅烷偶联剂处..............共62页

4、半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究

  运用电化学方法,以溶液化学、腐蚀电化学原理、摩擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导,采用旋转圆盘电极,系统研究和探讨了n(100)、n(111)、p(100)、p(111)半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的成膜行为、CMP中的电化学行为、抛光速率与CMP过程机理等。研究的内容与获得的主要结论如下:运用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了半导体硅片在纳米SiO2抛光浆料中的腐蚀行为,探讨了pn值、SiO2固含量、成膜时间和双氧水浓度等因素对成膜性质的影响。结果表明,pH值严重影响硅片的成膜,pH值为10.5时的钝化膜最厚,电化学阻抗图谱(EIS)测试结果显示,钝化膜厚度大约为5.989A;SiO2固含量对硅片的腐蚀成膜没有影响;双..............共78页

5、二氧化硅介质层CMP抛光液配方的研究

  随着集成电路(IC)产业的飞速发展,IC特征尺寸不断缩小,硅片尺寸不断增大,IC工艺变得越来越复杂和精细。这对芯片内部层间介质的表面质量提出了更高的要求,要求介质层表面必须进行全局平坦化,而传统的抛光工艺已不能满足要求。化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术,正广泛地应用于IC制造中。然而,由于其工艺的复杂性,人们对CMP机理以与抛光液的作用仍缺乏深入的认识,许多方面还需要进行深入地研究。在CMP过程中,抛光液对被加工表面具有化学腐蚀和机械研磨的..............共65页

6、单晶硅双面抛光加工理论与工艺研究

  根据超精密加工机床设计要求,提出了双面抛光机总体设计方案,在分析精密双面抛光机的控制要求与设计方案的基础上,研制了超精密双面抛光机的控制系统,详细介绍了实现该机控制的各部分硬件系统、自动加工控制流程和人机交互的控制界面,并对研制的设备进行了运行与检测。通过研究晶片、抛光垫与行星轮三者之间的运动关系,建立了行星式双面抛光运动轨迹数学模型,利用MATLAB软件分析了不同位置、不同抛光盘转速、不同转速比下的相对运动轨迹状态与对抛光质量的影响,然后根据研究抛光盘上的任一点相对工件运动轨迹密度分布均匀来建立抛光均..............共72页

7、300mm硅圆晶片铜化学机械抛光抛光液研究

化学机械抛光是实现全局平坦化最关键的技术,是机械作用与化学作用平衡的作用的结果,抛光液中微观粒子的研磨作用以及抛光液的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦的表面。集成电路进入大规模化时代,器件的尺寸越来越小,布线层数越来越多,使得金属线宽变窄,导致了金属连线的电阻率增大与电路的RC延迟增大,制约了集成电路的性能。由于铜比铝具有更好的性能,所以现在的金属布线由铝转向了铜。越来越多的实验开始研究铜的化学机械抛光。分为四部分。第一部分是前言,这部分主要介绍化学机械抛光的一些基本概念及其发展、应用,也介绍了抛光中的抛光液的组成及其影响因素等。第二章主要介绍了抛光液中几种添加剂以及一些基础实验..............共55页

8、CVD金刚石膜化学机械抛光液的研制

采用一种化学机械抛光方法对CVD金刚石膜的抛光进行了研究,主要的研究内容和结论如下:(1)根据氧化还原电位选择10种氧化剂进行了抛光试验,研究了不同氧化剂对金刚石膜的材料去除率和表面粗糙度Ra的影响。根据试验结果,优选出了高锰酸钾作为抛光液的氧化剂。2)选用硫酸、磷酸、三氯化铁等化学试剂作为添加剂进行了抛光对比试验,选择了材料去除率及表面粗糙度Ra均比较好的磷酸作为抛光液的添加剂。通过对磷酸的浓度进行优选,发现当磷酸的浓度为磷酸:去离子水=115ml:35ml时抛光效果最佳。 (3)在确定了氧化剂和添加剂的基础上,对磨料的硬度、粒径进行了优选,试验结果表明:在粗加工时,采用粒径10μm的金刚石作为磨料,精加工时采用粒径2μm的碳化硼磨料可以获得最佳的效果..............共63页

9、超细稀土抛光材料的研制

采用逐渐释放沉淀剂的沉淀法对CeO2超细抛光粉的制备工艺进行了研究,实验过程解决了两方面的问题:其一是CeO2超细粉体的制备;其二是CeO2超细粉体的表征。通过实验,确定了用“氨水+草酸”作沉淀剂制备氧化铈超细抛光粉的最佳工艺条件:分散剂用聚乙二醇,反应物浓度为0.15~0.2mol/L,沉淀剂氨水浓度为2mol/L、草酸浓度为100g/L,pH值具体如下:沉淀剂氨水滴到终点为8~9;沉淀剂草酸滴到终点为2~3,沉淀温度为70~80℃,焙烧温度为650℃。研究了pH值对Ce(OH)4水分散体系Zeta电位的影响,当pH约为7时,体系的Zeta电位为0,也就是体系的等电点(I.E.P)为7,当pH等于9时,Zeta电位达最大值-35.5mV;同时也测试了pH对“NH3+C2O42-”水分散体系Zeta电位的影响,当pH约..............共53页

10、氟碳铈矿焙烧动力学及抛光粉制备

介绍国内外氧化铈的资源状况及应用现状。铈的电子结构为[Xe]4f15d16s2,当失去5d16s2电子时表现为三价,4f轨道上的一个电子失去时形成较稳定的全空轨道而表现为四价。结合其特有的化学性质,提出了盐酸二步浸取法从氟碳铈矿中分离铈的工艺,然后利用分离的铈制备氧化铈粉体。本文主要的研究内容有:⒈氟碳铈矿加碳酸钠焙烧的动力学研究。传统的硫酸焙烧分解氟碳铈矿的工艺由于大量排放氟化氢气体,严重污染环境;采用碳酸钠脱氟焙烧工艺可以大大降低氟化氢的排放。氟碳铈矿加碳酸钠焙烧,是一个典型的固相之间的反应,实验采用热重分析法研究了..............共66页

11、聚酰亚胺中添加磨粒作为新型抛光材料的初步研究

制备一种新型精密抛光材料,它是在聚酰亚胺中添加磨粒而制成,它可用于金属、玻璃、珠宝、光学镜片以及光纤等的抛光。基于上述意图,本实验制备了氧化铝/聚酰亚胺复合抛光薄膜和金刚砂/聚酰亚胺复合抛光薄膜,对这种聚酰亚胺抛光薄膜的制备程序中需要注意的问题做了总结,并且通过红外光谱,扫描电子显微镜,热重分析仪,万能材料试验机对这两种薄膜的性能做了研究。所得结果如下:⒈复合薄膜的红外光谱显示,聚酰亚胺和磨粒的混合是物理混合,二者并没有发生化学反应;⒉从薄膜的表面及侧面的SEM图上看出,这是一种双层成膜型磨片,一层是纯聚酰亚胺,另外一层是磨粒嵌入聚酰亚胺中,且在磨粒层的表面上看到磨粒均匀地分布在聚酰亚胺中;⒊氧化铝/聚酰亚胺薄膜和金刚砂/聚酰..............共70页

12、铈基抛光粉的制备过程研究

铈基抛光粉是一种优秀的抛光材料,它以其独特的抛光性能及质量,广泛的应用于光学玻璃、电子产品等高科技领域。铈基抛光粉的抛光性能是由于其特殊的物理化学性质决定的,而如何制备出性能优异的抛光粉,已经成为一项热门的研究课题。本课题从晶型稀土碳酸盐的制备过程开始研究,选择适当的沉淀条件制备出晶形较完整、大小适中、分布均匀的晶型碳酸铈沉淀。并使用两种加氟方式——氟化铵法和硅氟酸法制备出不同的含氟稀土碳酸盐,并使用SEM及XRD对沉淀产物的晶形、尺寸及物相的进行分析对比,得出使用氟化铵法制备出的含氟碳酸盐物相较为单一、且晶形较好。 在稀土碳酸盐的焙烧过程部分,首先研究了碳酸铈的分解、结晶、长大及冷却过程。然后对碳酸铈 ..............共51页

13、纳米级抛光液及其制备方法
14、化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
15、用于金属和金属氧化物的结构化处理的抛光液和方法
16、使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
17、抛光液组合物
18、铜化学-机械抛光工艺用抛光液
19、超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
20、超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
21、化学抛光液
22、一种浮法抛光液膜厚度测量装置
23、用于钌的化学机械抛光的溶液
24、用于金属布线的化学机械抛光的浆液组合物
25、半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
26、一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液
27、失效稀土抛光粉的再生方法
28、稀土抛光粉的制备方法
29、铂化学机械抛光用的溶液
30、用于铜布线化学机械抛光的清洗液提供装置
31、抛光方法及研磨液
32、钨抛光溶液
33、用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
34、一种化学机械抛光液
35、抛光液组合物
36、化学机械抛光铜表面用的腐蚀延迟抛光浆液
37、供化学机械抛光用的透明微孔材料
38、使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
39、化学机械抛光浆液
40、一种数控抛光用非接触式喷液磨头
41、一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法
42、研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法
43、一种不锈钢表面快速化学研磨抛光浴液及方法
44、用于硅上液晶器件的铝化学机械抛光回蚀
45、硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
46、抛光液和抛光有色金属材料的方法
47、用于半导体晶片的抛光组合物
48、钛镍合金电化学抛光液
49、硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
50、一种单晶硅抛光片热处理工艺
51、高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
52、可选择性阻隔金属的抛光液
53、抛光含硅电介质的方法
54、管形脆性材料内表面抛光方法和由该方法得到的材料
55、用于化学机械抛光的多层抛光垫材料
56、用于抛光导电材料的抛光组合物和方法
57、用于连续成形一种用作半导体抛光垫片的均一片材的工艺和设备
58、核 壳型纳米粒子研磨剂抛光液组合物及其制备方法
59、集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
60、化学机械抛光液及其用途
61、化学机械抛光液
62、水基金刚石抛光液及其制备方法
63、一种富铈稀土抛光粉的生产方法
64、抛光液
65、高性能稀土精密抛光材料的制造方法
66、阻挡层抛光溶液
67、用于化学机械平坦化的多步抛光液
68、电解抛光液和其平坦化金属层的方法
69、用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
70、抛光溶液
71、一种有机碱腐蚀介质的稀土抛光液
72、用于大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液
73、用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液
74、用于微晶玻璃研磨抛光的抛光液
75、用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
76、用于硼酸锂铯晶体的化学机械无水抛光液及平整化方法
77、蓝宝石衬底材料抛光液及其制备方法
78、半导体锑化铟化学机械抛光液
79、用于磷酸氧钛钾晶体的化学机械抛光液
80、硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
81、超大规模集成电路多层布线SiO介质的纳米SiO磨料抛光液
82、电子玻璃的纳米SiO磨料抛光液
83、超大规模集成电路铝布线抛光液
84、一种金属抛光液及其制备方法
85、一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法
86、一种防冻型抛光液及其制备方法
87、一种钨抛光液及其制备方法
88、一种除藻型抛光液
89、一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法
90、一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法
91、Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
92、用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法
93、用于抛光低介电材料的抛光液
94、用于抛光低介电材料的抛光液
95、一种含有混合磨料的低介电材料抛光液
96、金属化学机械抛光的抛光液原位批处理方法及所使用的装置
97、一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液
98、用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
99、半导体晶片精密化学机械抛光剂
100、具有增强的抛光均匀性的二氧化铈浆液组合物
101、高精度复合抛光液及其生产方法、用途
102、高精度抛光液及其生产方法、用途
103、一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法
104、一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法
105、一种碱性硅晶片抛光液
106、以二氧化铈为主体的超细精密抛光粉的制备方法及抛光粉
107、抛光液以及抛光Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
108、用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
109、用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
110、用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
111、一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
112、非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用
113、水性抛光液和化学机械抛光方法
114、抛光液体
115、抛光液传输设备
116、可除去聚合物阻挡层的抛光浆液
117、用于化学机械抛光的抛光浆液和方法
118、用于化学机械抛光研磨液组合物的氧化剂
119、用于化学机械抛光的透明多微孔材料
120、用于铝的化学机械抛光的浆液
121、稀土精矿制备高铈钠米量级稀土抛光粉的方法
122、多组分阻挡层抛光液
123、阻挡层用抛光液
124、磁流变抛光液及其制备方法
125、碱性计算机硬盘抛光液及其生产方法
126、微晶玻璃加工用纳米二氧化硅磨料抛光液及其制备方法
127、一种低介电材料抛光液
128、一种蓝宝石衬底化学机械抛光浆液
129、一种高纯度纳米金刚石抛光液及其制备方法
130、具有研磨粒子的抛光材料及其制造方法
131、H黄铜抛光液及其制备方法
132、用于电解抛光的电解液以及电解抛光方法
133、使用高岭土生产抛光粉的方法
134、一种数控抛光用非接触式轮状喷液磨头
135、金属抛光液和使用该金属抛光液的抛光方法
136、抛光液
137、一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液
138、半导体硅片化学机械抛光用清洗液
139、半导体材料的电解抛光方法及装置
140、高效高精度蓝宝石抛光液及其制备方法
141、磁流变抛光液流变性测试装置
142、可长时稳定抛光液性能的磁流变抛光液循环装置
143、用于光学加工的水基磁流变抛光液及其制备方法
144、低粘度稳定的非水基磁流变抛光液及其配制方法
145、抛光光学元件的复配抛光粉及制备方法和抛光工艺
146、一种核壳结构的稀土抛光材料及其制备方法
147、金属振动抛光液及其制备方法
148、碳化硅基片的抛光液1
149、一种化学机械抛光液2
150、一种化学机械抛光液3
151、一种化学机械抛光液4
152、介电层抛光液
153、浅沟槽隔离抛光液
154、晶圆精抛光液
155、晶圆粗抛光液
156、一种稀土精细抛光材料及其制造工艺
157、一种稀土抛光粉及其制造方法
158、稀土抛光粉及其制造方法
159、一种珍珠抛光材料及其制备方法
160、一种用于加工电容式触摸屏玻璃盖板的抛光材料生产方法
161、一种化学机械抛光液
162、一种化学机械抛光液
163、用于不锈钢镜面的抛光液及制备方法
164、一种化学抛光液及抛光方法
165、一种铝合金电解抛光液及制备方法和铝合金电解抛光方法
166、一种稀土抛光粉及其生产方法
167、一种铝掺杂氧化铈抛光粉及其制备方法
168、高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液及制备方法
169、用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液
170、降低铜化学机械抛光粗糙度的抛光液
171、新型铝和铝合金的化学抛光液
172、一种铝及铝合金的电化学抛光液
173、一种钛及钛合金抛光液及抛光方法
174、一种化学机械抛光液
175、一种用于钨化学机械抛光的抛光液
176、一种化学机械抛光液
177、一种用于钽阻挡抛光的化学机械抛光液
178、一种化学机械抛光液
179、一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液
180、一种用于介质材料平坦化的抛光液
181、一种化学机械抛光液
182、一种化学机械抛光液及其应用
183、一种化学机械抛光液
184、一种化学机械抛光液
185、一种含有混合磨料的低介电材料抛光液
186、一种化学机械抛光液
187、一种用于化学机械研磨的抛光液
188、一种化学机械抛光液
189、一种化学机械抛光单晶氧化镁基片用的抛光液
190、高精度氧化铝抛光液及其制备方法
191、高精度氧化铝抛光粉及其生产方法
192、可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液
193、化学机械抛光液和抛光方法
194、一种大尺寸硅片用化学机械抛光液及其制备方法
195、一种铌酸锂晶体抛光液及制备方法
196、微碱性蓝宝石抛光液及其制备方法
197、一种纳米级抛光液及其调配方法
198、钨钼合金材料化学机械抛光液的制备方法
199、硬脆材料化学机械抛光用无磨料抛光液
200、用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法
201、钽化学机械抛光液的制备方法
202、ULSI铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液的制备方法
203、微晶玻璃抛光液的制备方法
204、二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法
205、硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法
206、极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法
207、超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法
208、超大规模集成电路铝布线抛光液的制备方法
209、锑化铟材料表面化学机械抛光液的制备方法
210、镁铝合金材料表面化学机械抛光液的制备方法
211、高浓度Ti阻挡层表面化学机械抛光液的制备方法
212、一种化学机械抛光液
213、一种用玉米芯做的珍珠抛光材料及其制备方法
214、一种化学机械抛光液
215、核 壳型复合纳米磨料硅片抛光液
216、核 壳型复合纳米磨料铜化学机械抛光液
217、一种降低硅片表面微划伤的抛光液及其制备和使用方法
218、一种取代铜酸洗工艺的处理铜及铜合金表面的抛光液
219、用于镁合金织构检测前处理的电解抛光液及电解抛光工艺
220、具有特殊缓冲体系的硅片化学机械抛光液
221、一种铈基抛光粉悬浮液的制备方法
222、一种抛光工件射流抛光材料去除函数的优化方法
223、一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法
224、一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
225、抛光液加热装置,抛光液温度控制设备和抛光液输送系统
226、一种化学机械抛光液
227、一种集成电路铜互连结构中铜的电化学机械抛光液
228、一种用于硬盘NiP的电化学机械抛光的抛光液
229、一种多功能稀土抛光粉分散剂
230、硬盘磁头的抛光液及其制备方法
231、适用于精细雾化CMP的铜抛光液
232、适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液
233、医用NiTi形状记忆合金抛光液
234、一种用于计算机硬盘基片抛光的多孔纳米氧化铝抛光液
235、一种用于氧化锌化学机械平坦化的酸性纳米抛光液及应用
236、一种用于氧化锌化学机械平坦化的碱性纳米抛光液及应用
237、用于不锈载体盘的抛光液及使用方法
238、微小孔磨粒流抛光液及其制备方法
239、一种不锈钢无铬电解抛光液及其表面抛光处理工艺
240、一种抛光钨的化学机械抛光液
241、一种利于抛光后清洗的钨化学机械抛光液
242、一种化学机械抛光液
243、一种D封装硅抛光液
244、化学机械抛光的抛光液及输送系统
245、一种用于微晶玻璃的纳米抛光液及其制备方法
246、水基H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法
247、稀土-硅复配精密型稀土抛光粉及其制备方法
248、精密型稀土抛光粉及其制备方法
249、一种两酸铝制品化学抛光液及其制备方法
250、一种铝制品化学抛光液及其制备方法
251、氟氧化镧铈稀土抛光液及其制备方法
252、一种用于硅单晶片抛光的抛光液及其制备与应用
253、铝硅合金的电解抛光液
254、一种化学机械抛光液
255、用于硫族合金的抛光液
256、一种纳米金刚石抛光液的制备方法
257、一种铝掺杂的氧化锆复合抛光粉的制备方法
258、一种铈掺杂的氧化锆复合抛光粉的制备方法
259、用于加工不锈钢板材K镜面的抛光液
260、精密型铈锆基固溶体稀土抛光粉及其制备方法
261、一种再生应用于水晶玻璃的废弃稀土抛光粉的方法
262、一种用于电化学抛光镁合金的离子液体抛光液及其制备方法
263、铈锆复合氧化物抛光粉制备方法
264、一种铝材的液相等离子抛光液及抛光工艺
265、一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液
266、一种用于氧化镍薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用
267、一种蓝宝石衬底材料的热化学机械抛光法及抛光液
268、一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用
269、金刚石切削刀具超精密刃磨用抛光液及其制备方法
270、超声波雾化型碱性抛光液
271、一种取代铜酸洗工艺的处理铜及铜合金表面的抛光液
272、一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用
273、一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液
274、一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液
275、铈基混合稀土抛光粉的制备方法
276、稀土抛光材料及其制备方法
277、水晶玻璃用抛光粉的生产方法
278、高效氧化铝蓝宝石抛光液及其制备方法
279、高效玻璃抛光粉及其制备方法
280、用于玻璃以及含硅化合物表面加工的酸性抛光液
281、石材磨具用氧化铈抛光材料及其制备方法
282、光学镜片抛光液
283、一种球形单分散高铈抛光粉及其制备方法
284、一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法
285、一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液
286、一种晶体硅片湿法刻蚀用抛光液
287、铈基混合稀土抛光材料及其制备方法
288、一种环保型等离子抛光液及其制备工艺和抛光工艺
289、抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法
290、稀土抛光粉及其制备方法
291、金属抛光液
292、用电导率指导抛光粉生产和产品质量控制的方法
293、纳米级八面体形氧化镧铈稀土抛光粉的生产工艺
294、金属表面抛光液
295、金属表面抛光溶液及抛光工艺
296、不锈钢表面化学抛光液及化学抛光方法
297、稀土抛光粉的生产方法
298、不锈钢抛光液
299、一种无腐蚀脉冲电化学抛光溶液及工艺
300、用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
301、输送基片机械抛光研磨悬浮液的设备和方法
302、铝型材抛光液无能耗简易回收法
303、用于化学机械平面加工的含过氧化物抛光液的稳定方法

抛光材料、抛光粉生产文献资料

304、InSb半导体材料的抛光液研究
305、pH值和浓度对CeO2抛光液性能影响的研究
306、半导体单晶抛光片清洗工艺分析
307、半导体芯片化学机械抛光过程中材料去除机理研究进展
308、超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究
309、超高精度大直径硅片表面超声浮动抛光
310、超细氧化铝抛光液的制备及其抛光特性研究
311、磁流变抛光液的研制
312、磁头抛光液用金刚石超微粉研究
313、硅晶片抛光加工工艺的试验研究
314、硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析
315、化学机械抛光中抛光液流动的微极性分析
316、基于DOE优化设计抛光工艺参数
317、基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型
318、铝合金碱性抛光液及其工艺条件
319、铝和铝合金碱性化学抛光液及工艺的研究
320、纳米SiO2粒子抛光液的制备及其抛光性能
321、纳米金刚石计算机磁头抛光液的研制及应用
322、纳米金刚石抛光液制备及应用
323、微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究

......................................共600项,



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