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碲化镉制备与应用专利资料汇编

1、碲化镉太阳电池的器件物理研究

  研究了ZnTe:Cu背接触层的制备工艺对薄膜结构、性质的影响,探讨了Cu原子在薄膜中的行为。在此基础上制备了CdTe太阳电池,进一步研究各种参数与CdTe太阳电池器件物理的关系;然后以实验测量为基础使用SCAPS软件模拟计算了CdS的CdTe多晶薄膜太阳电池的器件特性,分析了各种影响电池性能的因素,为进一步提高电池转换效率提供了参考。ZnTe:Cu多晶薄膜的XAFS结果与各种光学、电学性质表征表明:ZnTe:Cu多晶薄膜中存在着与Cu原子相关的ZnTe立方相←→六方相结构转变,并伴随着Te-Cu相的形成,Cu原子的配位数随薄膜掺铜浓度、退火温度的改变而基本不变。Cu原子浓度不同,进入ZnTe晶格导致的晶格畸变程度不同以与Cu原子在不同温度退火后表现的不同化学价念和它对薄膜.....................共65页

2、碲化镉太阳电池与相关薄膜的电子辐照特性研究

  对SnO2:F、ZnTe:Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS的CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照,研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能的影响,可明晰多晶薄膜和器件的损伤机制,这对发展新型抗辐照、稳定和低质量功率比的空间太阳电池有重要意义。对化合物半导体多晶薄膜的电子辐照研究结果表明,SnO2:F薄膜在受到1MeV不同注量的电子辐照后,除了霍尔系数在辐照后出现增长的趋势外,载流子浓度和迁移率均减小,出现了非线性的变化趋势。而ZnTe:Cu薄膜受到电子辐照后,迁移率与霍尔系数都明显降低,当辐照注量达到1×10<'16cm<'-2时,衰降97.8%,载流子浓度随着辐照注量的增大而大幅度增大。对碲化镉多晶薄膜太阳电池进行了不同注量的1MeV电子辐照,结果表明.....................共60页

3、稀土离子注入CSS法制备的CdTe薄膜掺杂性能研究

  综述了CdTe太阳能电池材料的应用前景和发展概况,并对多晶薄膜太阳电池的吸收层材料CdTe薄膜的稀土掺杂性质进行了总结和研究。本工作首先采用实验室自制的近距离升华(CSS)系统成功的制备了均匀、致密且晶粒尺寸约为十几个微米的纯CdTe多晶薄膜。但本征CdTe薄膜均为高阻半导体,这对于提高CdTe薄膜太阳能电池的光电转换效率是极为不利的,要提高CdTe薄膜的光电性能必须通过施主或受主的掺杂。离子注入方法是一种新的有效的材料改性方法,我们在初步分析离子束改性材料机理的基础上。利用这种技术实现了CdTe多晶薄膜稀土离子铒(Er)、镝(Dy)的高浓度....................共45页

4、CSS法制备CdTe薄膜的掺杂性质研究

  概述了CdTe多晶太阳能电池的发展与其应用前景,并对CdTe薄膜的不同掺杂情况作了讨论研究。本文主要部分总结了我的两方面工作:(1)采用近距离升华(CSS)方法制备自掺杂Te的CdTe薄膜,研究富Te对CdTe薄膜性质的影响,同时对样品进行了不同条件的退火处理,分析了退火对样品性质的影响;(2)采用离子注入技术对近距离升华方法制备的纯CdTe薄膜进行Cu离子的掺杂,并对其在N2气氛下退火,讨论Cu离子注入剂量与退火对薄膜性质的影响。通过分析薄膜的结构、形貌、光吸收、光致发光等性质,我们得出如下主要结论:(1)适量掺Te改善了CdTe薄膜的结晶质量,CdTe薄.....................共54页

5、碲化镉与相关化合物多晶薄膜与碲化镉太阳电池研究

  薄膜太阳电池的研究与其应用是当今光伏领域的研究热点,CdTe多晶薄膜太阳电池是受到广泛重视的薄膜电池之一,它的基本特点-多晶薄膜、化合物半导体、异质结器件-导致了一些重要的问题未能得到很好的解决.该文针对CdTe多晶薄膜电池制备中的几个重要环节:CdTe多晶薄膜的制备与后处理、背接触层制备、CdS多晶薄膜的后处理技术、器件物理做了深入研究.在此基础上制备出高效率CdTe太阳电池.结合器件特性表征分析了限制CdTe太阳电池转换效率.....................共120页


6 固体区熔生长1-3微米碲镉汞晶体材料的方法
7 以H2Te为碲源的II-VI族半导体CdTe量子点的制备方法
8 用于不使用CdCl2大规模生产CdTeCdS薄膜太阳能电池的方法
9 水溶性核壳型CdTeCd(OH)2纳米晶粒的水相制备方法
10 CdTeCo(OH)2核壳结构磁性荧光量子点的水相合成方法
11 开管式碲镉汞外延材料热处理方法
12 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
13 带有延伸电极的碲镉汞多元红外探测器
14 碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片
15 碲化镉粉末的制备方法
16 含有高可见发光效率的CdTe纳米晶透明聚合物体相材料的制备方法
17 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法
18 CdTe单晶和CdTe多晶与其制备方法
19 利用水热技术制备高光致发光效率CdTe纳米晶的方法
20 熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法
21 碲镉汞材料pn结结深的测量方法
22 碲镉汞材料离子注入PN结产生损伤的修复方法
23 硒化镉与碲化镉纳米棒的制备方法
24 水溶性CdTe纳米晶的制备方法与其制备装置
25 CdTe纳米晶直接标记生物分子的方法
26 CdTe纳米晶偶联链霉亲和素荧光标记生物分子的方法
27 一种制备含CdTe纳米晶聚合物复合材料的简单方法
28 含有碲化镉荧光量子点的二氧化硅荧光微球与其制备方法
29 碲化镉多臂纳米棒的制备方法
30 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
31 高量子产率碲化镉量子点的控温控压微波合成方法
32 系列类碲镉汞红外材料与其制备方法和用途
33 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底与制备方法
34 熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法
35 碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片
36 稀磁荧光掺钴碲化镉合金量子点的水相合成方法
37 碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片
38 温和条件下水相快速合成CdTe纳米晶的方法
39 利用超声波微波技术制备CdTe纳米荧光材料的方法
40 探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法与其装置
41 水溶性高荧光产率的CdTeZnSe核壳量子点的制备方法
42 水溶性碲化镉量子点的程序控制微波制备方法
43 一种水溶性CdTeCdS 核壳型量子点的微波制备方法
44 一种水溶性CdTe纳米晶聚合物表面改性的方法
45 一种单波长激发双波长发射聚合物包裹水溶性CdTe纳米晶与其制备方法
46 用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层与制备方法
47 碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备与方法
48 微台面列阵碲镉汞红外双波段焦平面探测器芯片
49 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物与其单晶材料和薄膜材料
50 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物与其单晶与薄膜材料
51 含半胱氨酸多肽辅助合成高发光碲化镉量子点的方法
52 带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器
53 一种水溶性CdTeCdS核壳型量子点的制备方法
54 光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
55 在图形化硅上制作碲化镉汞
56 碲化镉量子点的制备方法
57 碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺
58 一种微波辅助水溶性聚合物包裹CdTe纳米晶的方法
59 甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜与制备方法
60 一种硅壳型CdTe量子点的直接制备方法
61 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法
62 一种制备碲镉汞红外材料的新方法
63 置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片
64 表面修饰的包含有碲化镉二氧化硅纳米粒与其制备方法
65 长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法
66 一种可靠预测碲镉汞光电响应截止波长的非接触实验方法
67 被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器
68 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片
69 CdS、CdSe或CdTe空心纳米环与其制法
70 一种CdTe纳米空心球或CdTe纳米管的制备方法
71 碲化镉薄膜太阳能电池腐蚀液与腐蚀方法
72 CdTe量子点的制备方法
73 水溶性CdTe量子点的水热制备方法
74 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片
75 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法与专用石墨舟
76 防非红外辐射入射面响应的碲镉汞红外探测器芯片
77 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺
78 聚电解质CdTe纳米复合薄膜的制备方法
79 一种CdTeCdSZnS 核壳壳结构量子点的制备方法
80 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
81 用共振散射光谱测定CdTe量子点粒径的方法
82 碲化镉的回收装置与其回收方法
83 一种高纯碲化镉的制备方法
84 一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜与其制备方法
85 合成CdTe半导体荧光纳米晶体材料的方法与其合成系统
86 一种合成超小尺寸CdSe和CdTe纳米晶的方法
87 核壳型碲化镉硫化镉水溶性量子点的合成方法
88 可溶于水与有机溶剂的CdTe纳米颗粒的制备方法
89 环糊精修饰的CdTe量子点的水相制备方法
90 近红外荧光CdTeCdSe核壳量子点的水相层层组装制备方法
91 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法
92 一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法
93 碲锌镉和碲化镉x和γ射线探测器的能量补偿层
94 一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法
95 水溶性长链巯基类化合物包覆的碲化镉量子点合成方法
96 碲镉汞长波光导型红外面阵探测器与多层电极的制备方法
97 激光加工在P型碲镉汞材料上形成PN结的方法与装置
98 一种高纯碲化镉的制备方法
99 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构
100 双层石墨导电膏作为CdTe电池的背电极过渡层结构
101 CdTe薄膜的表面腐蚀与用此法制备CdTe太阳电池
102 Ⅱ型CdTeCdS核壳量子点的制备方法
103 一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdTe纳米棒的方法
104 水中二氧化氯的CdTe量子点荧光测定法
105 用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料与制备方法
106 碲镉汞母液合成装置
107 一种碲镉汞阳极氧化装置
108 具有过渡层的碲化镉太阳电池
109 多通道碲镉汞红外探测器
110 碲镉汞材料组分分布显示方法和装置
111 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺与装置
112 一种碲镉汞晶体热处理装置
113 开管汞自封碲镉汞材料热处理装置
114 碲镉汞材料高温热处理方法
115 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
116、Br2-甲醇蚀刻对CdTe太阳电池性能的影响
117、CdS/CdTe太阳电池中CdS多晶薄膜的结构和光学性能
118、CdS/CdTe异质结太阳电池极限效率的计算
119、CdTe/CdS太阳能电池材料的研究进展
120、CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量
121、CdTe薄膜的红外光学特性研究
122、CdTe薄膜的微观结构分析
123、CdTe薄膜的制备方法比较与其结构性能研究
124、CdTe薄膜的制备和后处理研究
125、CdTe薄膜太阳电池
126、CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀与应用
127、CdTe多晶薄膜太阳电池的结构改进
128、CdTe多晶薄膜制备与后处理对CdS/CdTe界面的影响
129、CdTe介质膜与HgCdTe晶片间界面特性的研究
130、CdTe太阳能电池的制备与电子辐照对电池影响的研究
131、CdTe太阳能电池研究进展
132、CuxTe薄膜的结构与其对CdTe太阳电池性能的影响
133、MOVPE法生长HgCdTe/CdZnTe结构薄膜研究
134、ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响
135、半导体CdTe薄膜电化学沉积研究
136、半导体CdTe纳米晶的合成与其光学性能
137、薄膜太阳电池的最新进展
138、不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备与光性能研究
139、不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质的影响
140、大面积CdTe多晶薄膜的制备与其性能
141、大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析
142、大直径HgCdTe晶体生长研究
143、碲镉汞纳米材料与器件的LBIC检测技术
144、碲化镉薄膜太阳能电池与其溅射制备
145、碲化镉电光调制器性能研究
146、碲化镉晶体的制备与其显微特性研究
147、碲化镉纳米线的制备和生长机理分析
148、碲化镉新型β—射线探测器的研制
149、碲化物玻璃在光纤光学中的应用与研究进展
150、碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系
151、电化学方法在金属碲化物合成中的应用
152、反应型表面活性剂包覆CdTe纳米晶
153、非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长与其晶化过程研究
154、复合背接触层与背电极的匹配对CdTe太阳电池性能的影响
155、高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长
156、过渡金属三组元碲化物研究
157、化合物半导体光伏电池研究进展
158、激光刻划制备集成碲化镉薄膜太阳电池的研究
159、金属碲化物[Ga(en)3]In3Te7晶体结构和性质的研究
160、近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究
161、近空间升华法制备CdTe薄膜
162、静电自组装制备CdTe量子点纳米薄膜
163、具有复合背接触层的CdTe多晶薄膜太阳电池
164、密堆积升华制备碲化镉多晶薄膜
165、巯基乙胺稳定的水溶性CdTe纳米粒子的合成与表征
166、巯基乙酸修饰的CdTe量子点对聚合酶链反应特异性的影响
167、热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响
168、三元多碲化物纳米晶的新方法制备与表征
169、升温过程和气压在近空间升华沉积CdTe多晶薄膜中的作用
170、水热法合成巯基乙胺稳定的CdTe量子点
171、水热法合成水溶性CdTe量子点与其光谱表征
172、水热法制备稳定的发光CdTe材料
173、水相中CdTe纳米晶的制备与其光学性质
174、水相中合成CdTe半导体量子点
175、太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备与其性能
176、硝磷酸腐蚀的CdTe太阳电池性能
177、新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
178、一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS/CdTe
179、应变层超晶格(CdTe)n/(ZnTe)m的带偏移与亚带结构
180、用大面积CdTe多晶薄膜制备太阳电池
181、用涂碳石英管生长碲化物晶体的工艺分析
182、用于微生物体标记的CdTe半导体纳米晶超声波水相合成
183、在Hg1—xCdxTe上生长的阳极化碲化物薄膜与其XPS特性
184、真空气相沉积碲化镉薄膜特性研究
185、真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性
186、真空蒸发蹄化物薄膜光电性能的研究
187、脂质体包裹的CdTe复合量子点的合成
188、制备CdTe多晶薄膜升温过程的研究
189、中小尺寸CdS和CdTe团簇结构与电子性质的第一性原理研究
190、自掺杂Te生长CdTe薄膜的结构与其光学性质研究

 

 


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