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金刚石膜、金刚石镀膜、类金刚石膜技术资料汇编

1、高性能复杂形状金刚石薄膜涂层刀具的制备与切削

   针对复杂形状CVD金刚石薄膜涂层刀具的制备技术与在切削加工中应用所涉与到的若干关键性技术问题,如提高基体表面形核率,改善金刚石薄膜与硬质合金刀具基体之间的附着强度和金刚石薄膜涂层刀具的切削加工应用等方面开展研究。1、对热丝CVD沉积金刚石薄膜的非平衡热力学耦合模型和动力学模型进行研究,重点分析热丝CVD沉积金刚石膜系统中衬底温度场分布与相关因素对于薄膜沉积质量和速率的影响,同时结合实验室所进行的金刚石薄膜制备实验中所获得的实验数据和检测结果,优化金刚石薄膜沉积工艺。2、研究适合复杂形状硬质合金刀具基体的预处理方法,对传...................共70页

2、直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜硬质合金刀具制备工艺

   采用自主研制的直流弧光放电等离子体化学气相沉积设备,基于YG6硬质合金基体,分别进行了不同气体、物理工艺参数条件下金刚石薄膜制备工艺优化实验,并采用SEM、洛氏硬度计分别探讨了甲烷浓度、氩气流量、反应压力以与基体冷却水流量等工艺参数对金刚石薄膜表面形貌、晶体形态以与膜基性能的影响;基于精磨YG6硬质合金基体,分别比较研究了交、直流电化学两步腐蚀工艺对基体以与金刚石薄膜沉积的影响,并采用原子吸收光谱仪、表面轮廓仪、SEM等对基体以与金刚石薄膜涂层性能进行了分析,取得了以下认识和成果:(1)随着[CH4]的[H2]的增加,直流弧光放电等离子CVD金刚石薄膜的表面形貌呈现从主显(111)晶面→(111)与(100)晶面混杂→主显(100)晶面→菜花状顺序转变的V...................共68页

3、超光滑金刚石薄膜的制备应用

  以硬质合金YG6(WC-Co6%)材料为研究对象,从产业化的角度,以丙酮和氢气为原料,采用热丝CVD法(HFCVD)制备高质量的超光滑金刚石薄膜涂层刀片,研究不影响原有衬底光洁度的预处理新技术,即渗硼预处理和甲醇预处理,这两种预处理新技术均能够有效抑制Co的催石墨化作用,同时又能避免通过研磨、刻蚀、化学腐蚀等方法对衬底表面的损伤,特别适合于复杂形状精密光滑的硬质合金表面预处理。研究了衬底不同预处理方式对金刚石薄膜粗糙度、附着力、表面形貌、薄膜质量的影响。研究结果表明,渗硼预处理和甲醇预处理方法能够有效地保护原有衬底表面的光洁度,同时又能够很好的去除表面Co。其中甲醇预处理对于衬底表面光滑度的破坏更...................共52页

4、热丝化学气相沉积金刚石膜与碳氮膜研究

  主要以乙醇为碳源,在热丝化学气相沉积设备中制备金刚石薄膜。围绕金刚石薄膜的形核与生长,乙醇用量、基体温度、反应压强对金刚石薄膜的形核密度、沉积速率和表面形貌的影响。研究了在乙醇用量为3.0-5.1cm3(形核),16.9-29.5cm3(生长)、氢气流量为200sccm、基体温度为710-860℃、沉积压强为2.0-5.0KPa、沉积时间为0.25-6h等一系列条件下金刚石薄膜的形核和生长。运用扫描电子显微镜和X-射线衍射谱仪对金刚石薄膜进行了分析。因为乙醇的分解温度要低于甲烷的分解温度,以乙醇为碳源所制备的金刚石薄膜的形核时间要比甲烷为碳源所需要的形核时间...................共60页

5、ZnO的金刚石复合薄膜的制备

  研究了SAW器件用的ZnO薄膜与自支撑金刚石衬底的制备工艺,尤其对ZnO薄膜质量的改善进行了深入研究。利用100nm超细金刚石粉手工研磨硅衬底和0.5-1KPa的成核气压能有效提高硅衬底表面金刚石薄膜的成核密度。利用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术在硅衬底上生长出厚度约为80gm的金刚石薄膜。通过化学腐蚀方法获得自支撑金刚石衬底,其成核面平均粗糙度为1.5nm,并利用拉曼光谱仪、霍尔效应测试系统和阻抗分析仪分析研究了薄膜的质量和电学特性。使用射频磁控溅射方法在自支撑金刚石膜上沉积高质量ZnO压电薄膜,并引入氧等离子体预处理工...................共65页

6、EACVD金刚石膜沉积设备的小型化技术

  在对EACVD法制备金刚石膜的工艺要求以与影响因素进行详细分析的基础上,设计出了用于制备平面、球面纳米金刚石膜的小型化设备,并对其中的关键问题进行了研究。本文的主要工作和取得的成果如下:1.提出了能够满足金刚石膜生长的小型化设备结构,确定了小型化设备的基本参数,设计了能够用EACVD法生长金刚石膜的小型化设备的主体系统,针对设备小型化所带来的问题进行了分析并提出了解决途径。2.创造性地提出了采用曲柄摇杆机构实现衬底工作台的摆动运动,同时对摆动参数对衬底温度场的影响进行了仿真和优化,由此设计出了结构简单、维护方便、可靠性好的...................共80页

7、CVD金刚石膜的附着性能与应用

  附着性能的高低是CVD金刚石膜应用的基本问题之一.该文讨论了气相沉积金刚石薄膜的生长机理,sp2杂化碳的存在方式,织构生长的本质等影响薄膜结构的一般性问题,并讨论了薄膜的一些结构特征对薄膜附着性能的影响.该文分析了几个对附着性能有不同要求的应用实例,阐明了这些实例中影响附着性能的主要因素,给出了一定程度上满足这些应用实例对附着性能要求的工艺参数.该文在以下几方面有所创新:引入了模板概念,并在此基础上给出了CVD金刚石生薄膜长

8、CVD金刚石膜的抛光及相关工艺

  (1)I-IFCVD法制备CVD金刚石膜;(2)等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究;(3)机械法研磨CVD金刚石膜。I-IFCVD法制备CVD金刚石膜主要研究如何提高CVD金刚石膜的生长速度,制备高质量的金刚石膜。我们发现,提高碳源浓度、反应气体中添加少量的氧、增加偏压电流都能提高CVD金刚石膜的生长速率和增加膜的厚度,通过大量的试验研究,我们可以制备出直径为38mm、厚度为400um的金刚石厚膜,并用扫描电子显微镜、Ramau光谱等手段证明是质量较高的CVD金刚石膜

9、掺硼金刚石薄膜的制备及其电学性质的研究

  从金刚石薄膜的研究历史和现状开始,并采用热丝CVD法制备出不同掺硼浓度的金刚石薄膜,从硼源的选择、生长参数等方面详细介绍了掺硼金刚石膜的制备工艺。实验表明:HFCVD条件在灯丝与基片的距离6.5mm,丙酮和氢气比例为0.75%,灯丝功率为6.0KW,炉内压力1.5Kpa,生长时间5h,以硅为基底沉积得到了质量较好的金刚石薄膜。1、对样品进行XRD测试。结果表明:样品具有明显的多晶结构,具有很好的(111)生长取向。2、借助SEM分析了所制备样品的表面结构。金刚石薄膜晶粒形状清楚,晶粒生长良好,颗粒比较均匀

10、低压金刚石薄膜制备与研究

  主要研究了在CH4/H2=1%~5%,基体温度为700℃~880℃,偏压为0V~400V,沉积气压为1kPa~5kPa等一系列实验条件下金刚石膜的形核与生长。运用扫描电子显微镜和X射线衍射谱对金刚石样品进行了分析,得到了以下结论:①基片的预处理对金刚石膜的形核有很大的影响,可以有效的提高金刚石的形核密度。②甲烷流量高时,形核密度和生长速率都得到了提高,但是,金刚石膜质量下降。③基体温度对低压金刚石的生长是至关重要的,随着基体温度的提

11、金刚石薄膜制备及其生长机理的研究

  以甲烷和氢气为原料,采用热丝气相沉积(HFCVD)法在YG6硬质合金基体上沉积了金刚石膜。通过扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)研究了沉积温度(热丝功率、基体温度)、气体密度对金刚石膜表面形貌和织构的影响;同时初步探索了CVD金刚石的亚稳生长理论。主要结论如下:(1)本文实验条件下的最优化沉积工艺为:热丝功率为1510W;基体温度为690℃;甲烷分压与氢气分压的比值为1:30;沉积压强为30tort。(2)所沉积的金刚石膜具有很强(220)织构

12、金刚石光学薄膜的制备研究

  金刚石薄膜优异的光学性能使其成为光学材料的最佳选择。天然金刚石数量稀少,价格昂贵,且为颗粒状,使得金刚石在光学领域的应用受到了限制。化学气相沉积(CVD)金刚石膜技术的出现使金刚石膜能够得到广泛的应用。目前金刚石薄膜用作光学材料主要有两类:一类是在红外光范围的应用,即直接使用自支撑的金刚石膜作为保护涂层;另一类是在可见光范围的应用,即将金刚石薄膜作为保护性涂层沉积在其他光学材料表面,以提高其他光学窗口材料的耐磨损
13、金刚石膜的应力研究

  金刚石薄膜有着广阔的应用前景。由于应力是薄膜制备和应用中存在的普遍现象,它削弱了金刚石薄膜涂层与基底之间的粘结强度,限制了其应用,CVD(Chemical VaporDeposition)金刚石膜应力研究与膜生长机理的研究关系密切,应将两者连起来进行分析和研究。本文采用直流辉光放电等离子化学气相沉积方法(DC-PCVD)制备金刚石膜,研究了甲烷流量、放电电流对金刚石膜生长特性和膜品质的影响。然后研究了不同的制备工艺条件对金刚石膜应变和爆裂的影响,通过其XRD谱和Raman谱发现

14、金刚石膜制备及其在机械加工领域的应用

  采用直流热阴极化学气相沉积方法(DC PCVD)制备金刚石膜,研究了甲烷流量、放电电流、气体压力和基片温度等条件对金刚石膜生长速率、结晶特性的影响。从热应力角度分析了金刚石的微裂纹与爆裂纹现象。针对CVD金刚石在刀具和修整器工具方面的应用研究了金刚石膜的耐磨性。建立了CVD金刚石刀具和修整器的制作工艺。在低真空环境下以热扩散原理建立了大面积金刚石膜表面改性工艺,解决CVD金刚石刀具制作工艺中的焊接问题,成功制作出满足工业要求

15、类金刚石膜均匀沉积工艺研究

  本文介绍了DLC膜的不同制备方法和原理,总结了DLC膜的光学、力学、电学等性能及其在国内外相关领域内的应用情况,并指出了目前在实际应用中存在的问题。通过对膜系设计基本理论和设计方法的阐述,从理论上推导了在光学基片上获得单层增透DLC膜所需要的条件。进一步分析了射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)沉积DLC膜的机理,并结合FJL600型镀膜机的工作原理及特点,分析了使用该设备进行DLC膜沉积时一些重要工艺参数对膜性能的影响。

16、纳米金刚石薄膜的制备机理及其机械性能研究

  系统分析了微米晶粒的金刚石薄膜存在的缺陷和面临的不足以及纳米金刚石薄膜的优势与应用前景,研究了纳米金刚石薄膜的表征技术、沉积工艺与机理研究的发展。② 对双偏压HFCVD纳米金刚石薄膜制备系统开展了系统的研究,分析了HFCVD系统基本热交换过程,建立了气相和衬底温度场的三维有限元模型,综合分析了多种因素对衬底气相温度场的影响;设计了衬底多点无电刷测温装置和多试样连续沉积系统,提高了衬底温度实时测量的准确性与试样的制备效率。

17、微波等离子体低温CVD金刚石膜工艺和机理研究

  金刚石的特殊晶体结构使其成为一种性能优异的功能材料,它具有高硬度、低摩擦系数、高热导率、高透光率、低介电系数和高禁带宽度等性质.化学气相沉积制备金刚石膜成本低、质量高,广泛应用于工具涂层、热沉、光学窗口、半导体器件等方面.化学气相沉积金刚石膜过程中,衬底的典型温度为800~1000℃,这么高的温度限制了其作为GaAs、ZnS等低熔点光学材料窗口和涂层的应用.低温沉积金刚石膜不仅可以使晶粒细化,降低表面粗糙度,减小光的散射作用,而且

18、热丝化学气相沉积金刚石膜的研究

  该研究工作在自行设计的功率分别为1kW和10kW级的两个热丝CVD系统中进行.首先,在小功率热丝CVD系统中引入第二根灯丝,构成了"双灯丝"的试验装置,并和衬底之间构造了不同的辅助方法,分别在直流放电和射频放电的情况下比较分析了增强沉积金刚石生长机制.结果表明,没有衬底偏压而仅在双灯丝间激发等离子体时能够显著增强金刚石的生长,据此提出了CVD金刚石的活性络和物生长模型.其次,该文还研究了在Si3N4陶瓷和硬质合金两种常用基底上金刚石薄膜的结合性能,压痕试验表明,前者的粘结性能远高于后者,而且它们

19、小型化EACVD法金刚石膜沉积设备的控制系统研究

  针对新开发的小型化EACVD金刚石膜沉积设备,设计出其嵌入式控制系统,满足了金刚石薄膜制备的要求。主要工作如下:1.针对制备金刚石薄膜时衬底温度的变化特点和影响因素,提出了采用模糊PID参数自整定控制法来控制衬底温度,并建立了衬底温度控制的数学模型,对所设计的模糊PID控制器进行了参数整定与优化、仿真分析和离散化处理。2.设计了以SOC型高速微处理器C8051F020为基础的小型化EACVD金刚石膜沉积设备的控制系统,对系统的数据采集模块,控制输出模块,数据存储模块,报警电路,人机交互界面,通信等模块进行了详细的设计

20、直流等离子喷射化学气相沉积法制备金刚石薄膜

  采用30kW直流等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜设备。通过建立实验设备的传热数学模型,模拟了基片温度随等离子炬功率、反应腔压、沉积台温度、沉积腔壁面温度、基片喷嘴间距离、基片与沉积台的固相接触面占总面积的比率等的变化。模拟结果表明:影响基片温度的主要因素按照影响程度依次为等离子炬功率、沉积腔压力、沉积台温度、沉积台与喷嘴间距离;基片温度随着功率的增大而升高,在一定的温度范围内,近似于二次曲线;基片温度随腔压增大而升高,近似呈二次曲线变化,并且温度越高,温度随腔压的变化率越大;比较实验结果与相同工艺条件下的理

21、自支撑优质金刚石膜制备及红外透射特性研究

  优质的CVD金刚石膜具有高热导率,高硬度和非常好的化学稳定性,作为高功率CO2激光器窗口的优越性主要在于其极佳的导热性能。尽管CVD金刚石膜在10.6μm的吸收系数比ZnSe高1个数量级,但导热率却比ZnSe高100倍,因此在高功率下使用时窗口的温升反而比ZnSe窗口小得多,对ZnSe和光学级CVD金刚石膜窗口在5KwCO2激光输出水平上的研究表明,如果把窗口的厚度也考虑在内,金刚石膜窗口热透镜效应几乎可以忽略。宽的禁带宽度5.4eV,


22、金刚石薄膜冷阴极结构与其制备方法
23、制备类金刚石薄膜装置
24、纳米金刚石粉预处理大面积金刚石膜材料生长工艺
25、回旋电子增强热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜方法
26、均匀热场阵列生长金刚石膜管方法
27、用于制造类金刚石薄膜涂敷塑料容器设备与其制造方法
28、有源大通道金刚石厚膜热沉与制备方法
29、一种选域金刚石膜制备方法
30、纳米金刚石薄膜制备装置
31、用于电极导电金刚石薄膜与其制备方法
32、双离子束直接沉积类金刚石膜工艺
33、常温金刚石晶体膜与其生成方法
34、H+离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金刚石薄膜方法
35、LiNbO3 ZnO 金刚石多层膜结构声表面波器件与其制备方法
36、LiNbO3 SiO2金刚石多层压电膜与其制备方法
37、单晶硅上大面积(100)取向金刚石膜生长方法
38、纳米金刚石膜啤酒瓶与其生产方法
39、金刚石膜手表带与其生产方法
40、金刚石膜手机视窗与其生产方法
41、分散稳定性能优良金刚石水性悬浊液/含有该金刚石金属膜与其制品
42、一种金刚石/碳或氮化物纳米混相梯度复合薄膜制备方法
43、透明n-型氧化锌/p-型金刚石薄膜异质结与其制备
44、一种类金刚石复合扬声器振膜制备方法
45、一种金刚石镀膜刀具制造方法
46、制备金刚石和类金刚石薄膜方法
47、法拉第旋转器/光学隔离器/偏振器和类金刚石碳薄膜
48、在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长方法
49、类金刚石薄膜对钛镍合金表面改性技术
50、等离子体分解法制备类金刚石薄膜方法与其装置
51、分散有超微金刚石粒子金属薄膜层/具有该薄膜层金属材料/与它们制造方法
52、一种金刚石膜平面场发射阴极与其制作方法
53、新型类金刚石薄膜沉积工艺
54、掺硼金刚石膜电极电化学水处理装置与方法
55、在SHF放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜高速方法和实施所述方法装置
56、一种镀非晶金刚石膜工艺
57、纳米微晶金刚石薄膜与其制备方法
58、含纳米金颗粒类金刚石碳薄膜制备方法
59、金刚石膜被覆工具与其制造方法
60、一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹方法
61、金刚石厚膜与硬质基体形成牢固连接方法
62、含二氧化硅纳米颗粒类金刚石碳复合薄膜制备方法
63、金刚石膜高速精密抛光装置与抛光方法
64、金刚石薄膜自支撑圆形窗口试样制备方法
65、制备纳米金刚石薄膜辅助栅极热丝化学气相沉积法
66、金刚石膜电极处理有害废水技术与装置
67、类金刚石薄膜镀膜方法
68、类金刚石碳膜与其制备方法
69、金刚石声表面波器件多层薄膜结构制造方法
70、压模固定面施以隔热层和类金刚石碳膜光盘成型模具与使用其方法
71、采用激光烧蚀法制造极平微晶金刚石薄膜方法
72、纳米晶体金刚石薄膜/其制造方法与使用纳米晶体金刚石薄膜装置
73、适用SAW器件纳米金刚石膜与制备方法与用途
74、一种抛光大面积金刚石膜方法和装置
75、金刚石薄膜涂层轴承支撑器制备方法
76、一种化学机械法金刚石膜抛光装置与其抛光方法
77、在金刚石颗粒上形成化学结合金属镀膜方法
78、自由站立金刚石厚膜用于声表面波滤波器基板
79、一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造带包覆膜部件
80、液相电沉积制备类金刚石薄膜方法
81、一种用煤炭制取金刚石膜方法
82、一种球面高质量大面积金刚石厚膜抛光方法与装置
83、金刚石薄膜表面金属图形化制备方法
84、类金刚石碳薄膜与其质变方法,和偏振器
85、连续批量制备金刚石膜制备系统
86、一种具有多层类金刚石碳膜模具制作方法
87、基于金刚石薄膜微通道式散热器
88、一种含铬类金刚石薄膜与其制备方法
89、高定向金刚石薄膜与其制备方法/与应用高定向金刚石薄膜电子器件
90、多孔金刚石膜制造
91、金刚石薄膜涂膜法与包覆金刚石硬质合金部件
92、利用金刚石膜电极电合成过氧焦磷酸盐方法
93、n型CVD共掺杂金刚石薄膜制备方法
94、在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜化学气相沉积方法
95、钽喷丝头表面化学气相沉积金刚石薄膜强化方法
96、间歇式循环工艺生长金刚石薄膜方法
97、厚度可控三层式金刚石薄膜制备方法
98、强磁场下金刚石薄膜制备方法
99、一种生长厚纳米金刚石膜方法和设备
100、一种稳定生长大面积金刚石膜热丝阵列电极系统
101、一种金刚石膜生长设备热丝与电极结构
102、高温高压法改善金刚石膜综合性能方法
103、微波等离子体装置与制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜方法
104、铝材表面类金刚石覆膜改性方法与其装置
105、去除类金刚石碳膜方法
106、含金纳米颗粒类金刚石复合薄膜制备方法
107、具有金刚石膜用于放电灯冷阴极
108、类金刚石碳硬质多层薄膜形成物体和其制造方法
109、金刚石膜或天然金刚石表面改性方法
110、一种大尺寸金刚石膜平坦化加工方法
111、用于大尺寸金刚石膜平坦化磨削砂轮制作方法
112、掺磷非晶金刚石薄膜电极与其制备方法
113、用直流辉光放电在细长金属管内壁沉积类金刚石膜方法
114、可加工为生物芯片金刚石镀膜基板制造方法
115、纳米金刚石镀膜人工关节/骨板与骨钉表面处理技术
116、CVD金刚石膜连续制备系统
117、金属碳化物 类金刚石(MeC DLC)纳米多层膜材料与其制备方法
118、不锈钢金属表面镀制类金刚石薄膜方法
119、高速钢金属表面镀制类金刚石薄膜方法
120、掺硅无氢类金刚石薄膜镀制方法
121、一种空心圆筒型金刚石膜钻头与其制备方法
122、在石英圆管内或外壁镀(类)金刚石薄膜方法与装置
123、金刚石膜抛光方法
124、IDT h-BN c-BN 金刚石多层膜结构声表面波器件与其制备方法
125、以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层a-Si∶H太阳电池与其制备方法
126、金刚石膜形成方法和它膜形成夹具
127、类金刚石碳薄膜与其质变方法,和偏振器
128、一种金刚石薄膜太阳能电池与其制备方法
129、金属掺杂类金刚石表面离子液体润滑剂自组装润滑薄膜制备方法
130、不锈钢基底上沉积类金刚石碳薄膜方法
131、制造具有薄膜金刚石单晶方法和具有薄膜金刚石单晶
132、用于CVD金刚石膜成核化学连接金刚烃
133、具备类金刚石膜医疗器具与其制造方法
134、金刚石膜固态稀土金属高速抛光方法
135、稀土金属辅助作用下金刚石膜超高速抛光方法
136、硬质合金表面沉积CVD金刚石膜梯度法预处理工艺
137、能多面沉积CVD金刚石膜高热阻镂空衬底工作台与其应用
138、实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温方法与装置
139、纳米金刚石薄膜窗口制备方法
140、一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管制备方法
141、一种n-ZnO p-自支撑金刚石薄膜异质结制备方法
142、一种高硬度类金刚石多层薄膜制备方法
143、一种直流弧光放电PCVD金刚石薄膜制备基底恒温技术
144、吸收辐射掺硼金刚石复合膜与其制备方法
145、 用于绝对测辐射热计上金刚石复合膜片与其制备方法
146、吸收辐射复合金刚石热交换膜片与其制备方法
147、用金刚石膜作热沉材料LED芯片基座与制作方法
148、光电探测系统带非晶金刚石膜玻璃球罩与其制备方法
149、低成本生长高品质纳米金刚石膜方法
150、一种在TiNi合金表面制备类金刚石膜方法
151、一种低电压液相电沉积制备类金刚石薄膜方法
152、非晶纳米金刚石涂膜与成膜新工艺
153、类金刚石薄膜制备方法
154、超薄类金刚石碳薄膜制备方法
155、抗腐蚀类金刚石薄膜制备方法
156、超润滑掺硅类金刚石薄膜制备方法
157、一种含铝类金刚石碳膜与其制备方法
158、含磷类金刚石碳复合薄膜制备方法
159、超亲水类金刚石复合薄膜制备方法
160、用于水润滑织构化类金刚石复合薄膜制备方法
161、一种在锗基片上制备类金刚石膜方法
162、导电玻璃衬底上丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜中热烧结处理方法
163、玻璃衬底上印刷复合纳米金刚石薄膜使用浆料与其制备方法
164、采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜方法
165、采用氢掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜方法
166、钻地钻头中使用多层金刚石砂粒包膜
167、类金刚石碳膜作为基质在激光解吸离子化质谱中应用
168、在光盘表面沉积耐酸碱类金刚石薄膜装置和方法
169、一种基于溶胶凝胶法复合纳米金刚石薄膜制备方法
170、一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极制备方法
171、一种用于线形试样制备CVD金刚石膜装置
172、多用途批量制备CVD金刚石膜工业设备
173、化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法
174、金刚石薄膜场效应光电探测器制备方法
175、复合金属硫化物类金刚石复合薄膜制备方法
176、一种低温沉积折射率可变类金刚石薄膜方法
177、孕镶金刚石膜钻头与其制作方法
178、适用于金刚石热沉膜片薄膜沉积系统装置
179、一种CVD金刚石厚膜眼科手术刀与制作方法和装置
180、一种类金刚石镀膜玻璃与其制备方法
181、金刚石薄膜研磨方法与其触媒砂轮
182、线性离子束源装置与利用该装置沉积类金刚石碳薄膜方法
183、一种退除钢铁表面类金刚石碳膜方法
184、一种石墨烯-类金刚石碳复合薄膜制备方法
185、一种碳纳米管-类金刚石碳复合薄膜制备方法
186、实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温装置
187、一种n型纳米金刚石薄膜与制备方法
188、一种用于沉积金刚石薄膜微波等离子体谐振腔
189、金刚石薄膜生长装置
190、金刚石薄膜光敏晶体管制备方法
191、一种多元金属元素掺杂类金刚石膜制备方法
192、一种高性能掺杂类金刚石膜制备方法
193、一种金刚石膜涂层钢铁基复合材料与其制备方法
194、基于类金刚石薄膜修饰金属纳米结构表面增强拉曼衬底与其制备方法
195、一种提高自支撑金刚石膜强度方法
196、层积基板与其制造方法和金刚石膜与其制造方法
197、切削工具用金刚石被膜
198、CVD金刚石薄膜探测器制作工艺
199、铝合金表面掺钛类金刚石膜与其制备方法
200、类金刚石碳膜成膜装置与形成类金刚石碳膜方法
201、一种金刚石膜色谱柱制备方法
202、基于硼掺杂金刚石膜电极COD在线监测装置和方法
203、一种金属硫化物类金刚石复合薄膜制备方法
204、一种CVD金刚石厚膜眼科手术刀制作装置与制作方法
205、一种金属-类金刚石(Me-DLC)纳米复合膜与其制备方法
206、红外光学元件表面成型类金刚石膜工艺
207、一种催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层制备方法
208、一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积设备
209、有机光导鼓表面类金刚石镀膜改性处理
210、一种利用类金刚石复合膜进行金刚石薄膜平坦化工艺
211、一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化方法
212、一种硼掺杂纳米金刚石薄膜与制备方法
213、压裂井口金刚石膜内壁制备方法
214、LED印刷电路板与其非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法
215、一种低温沉积含银类金刚石薄膜方法
216、形成有类金刚石碳薄膜材料与用于制造该材料方法
217、医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法
218、一种含氢类金刚石膜制备方法
219、基于掺硼金刚石薄膜改性PEMFC双极板与其制备方法
220、一种基于金刚石薄膜LED散热基底与其制作方法
221、高界面强度类金刚石薄膜材料常温沉积设备与其方法
222、在类金刚石薄膜表面制备羧基改性层方法与由该法所制备类金刚石薄膜
223、在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜方法
224、激光窗口材料氯化钾晶体类金刚石防潮保护膜
225、微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜
226、同位素纯单晶外延金刚石薄膜与其制备方法
227、类金刚石薄膜作光学增透膜新应用
228、制备类金刚石复合振膜方法
229、金刚石单晶薄膜制造方法
230、金刚石红外增透保护薄膜与制备工艺
231、用于拉丝模金刚石膜与其制法
232、一种在硬质合金工具刃口涂复金刚石膜方法
233、含金刚石膜SOI集成电路芯片材料与其制作工艺
234、人造金刚石薄膜快速生长方法
235、热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜工艺
236、双阴极辉光放电合成金刚石薄膜
237、金刚石单晶镀超硬薄膜技术
238、形成金刚石膜方法
239、一种低温镀复金刚石薄膜方法与设备
240、一种激光化学气相沉积金刚石膜方法
241、金刚石膜上薄层硅结构芯片材料与其制备方法
242、用巴基管作基底涂层金刚石薄膜制造方法
243、制备类金刚石碳膜(DLC)方法/由此制备DLC膜/该膜用途/场致发射体阵列以与场致发射体阴极
244、为接受化学汽相淀积金刚石膜对硬质合金基质处理
245、用类金刚石纳米复合材料制备容性薄膜
246、采用类金刚石毫微复合膜保护精密刀口方法
247、一种金刚石薄膜涂覆硬质合金刀具制造方法
248、大面积类金刚石碳膜低温制备方法与装置
249、类金刚石与金刚石复合膜作新型光学增透膜
250、制备类金刚石薄膜电化学沉积方法与其装置
251、类金刚石薄膜形成装置和形成方法
252、一种复合激光化学气相沉积金刚石膜方法
253、一种制作金刚石薄膜刀具/工具方法
254、立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结制备方法
255、以金属钛为界面层非晶金刚石薄膜多层材料/制备方法与其用途
256、反应离子束刻蚀金刚石薄膜图形工艺
257、纳米引晶法选择性生长金刚石膜工艺
258、一种金刚石膜高效抛光加工方法
259、阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜制备方法
260、金刚石厚膜热沉基板金属化工艺
261、稀土化合物浆料与金刚石厚膜表面刻蚀方法
262、硅衬底上适于键合技术金刚石膜制备工艺




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