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陶瓷基片、陶瓷基板相关专利资料汇编

1、氧化铝陶瓷基片材质和加工工艺

  氧化铝陶瓷基片是电子信息产业广泛应用的基础材料,其生产的关键技术是高质量坯片的成型。国内外工业生产大多采用轧膜法、热压铸法和有机料浆流延法等方法制备,普遍存在设备投资大、原材料成本高和环境污染大的问题。所以,对氧化铝陶瓷基片的成型与加工工艺的研究具有十分重要的意义。在对凝胶注模成型工艺研究的基础上,将其发展创新为一种新型的制备高性能陶瓷材料的成型技术—胶冻成型方法。重点研究了氧化铝陶瓷稳...............共50页

2、低温烧结陶瓷基片

  介绍了低温烧结陶瓷基片的发展、工艺原理与其材料形成.在实验中,通过选择适当的玻璃熔体和粘结剂,采用流延法成型技术,制得了柔韧性和弹性都很好的陶瓷生片,而后将其烧结为基片,采用XRD,SEM和EDS等近代测试方法对基片的级成、显微结构和烧 结过程进行了深入的研究,同时也对基片的介质损耗进行了测试和...............共55页

3、两面顶技术制备高性能AlN陶瓷的研究

  利用两面顶技术,对添加单一和二元复合稀土氧化物的AlN陶瓷的低温超高压烧结工艺与机理进行了较为系统的研究,探索了其显微结构与性能的关系,最终制备了高性能的AlN陶瓷基片.结果表明:Y2O3、Sm2o3、Dy2O3均是AlN陶瓷有效的烧结助剂,而添加Nd2O3的AlN陶瓷呈在超高压下达到致密,但烧结性能较差.与其它添加单一稀土氧化物的AlN陶瓷相比,采用Y2O3为烧结助剂的AlN陶瓷的导热性能最佳,烧结条件为添加5wt﹪的Y2O3,170...............共70页

4、Al2O3陶瓷基片制备

  以高纯的α-Al2O3为主要原料,以烧滑石、碳酸钙、高岭土的形式向其中加入MgO、CaO、SiO2等烧结助剂,采用凝胶注模工艺制备96Al2O3陶瓷基片。配制固含量高且稳定性能好的Al2O3基料浆是用该工艺生产Al2O3陶瓷基片的前提和关键环节。主要研究了pH值、分散剂、球磨时间分别对料浆悬浮性和稳定性的影响,包括Al2O3粉体ζ电位的测定、料浆沉降试验及粘度试验。ζ电位测定结果表明,分散剂显著的改变了粉体的ζ电位,IEP点由8.2降至5左右,含有分散剂且pH值在8~9左右时,粉体ζ电位的绝对值较大。沉降试验表明,在碱性范围内沉降百分数较小,料浆较稳定,分散剂含量存在最佳值为0.4%。粘度试验表明,当pH值在8~9左右、分散剂含量为0.4%、球磨24 h时,粘度值均为最小值,此时料浆的流动性能...............共66页

5、AlN粉体及陶瓷的制备/结构及性能

  对碳热还原AlN微粉的合成、低温燃烧先驱体制备AlN纳米粉进行了研究,探讨了反应温度、气氛、不同铝源对碳热还原法合成AlN微粉的组成和结构的影响;研究了先驱体在低温燃烧中的形成过程、影响因素和形成机理;研究了AlN粉体的烧结特性,对AlN陶瓷的高热导率和显微结构的关系进行探讨;研究了热压AlN体晶的择优取向。通过热力学计算,分析了采用碳热还原法合成AlN粉末的热力学趋势,绘制了各凝聚系统的热力学平衡相图,以此为指导,系统地研究了不同工艺参数对合成AlN物相、粒度和形貌的影响。AlN晶种和CaF_2的最佳添加量分别为5Wt%和2.5~3.5Wt%左右...............共50页

6、AlN陶瓷低温烧结制备与性能

  以纳米AlN粉体为原料,通过选取不同的烧结助剂和添加剂,合理控制烧结工艺,在1600℃低温常压烧结制备了致密的AlN陶瓷。本文研究了AlN陶瓷烧结过程的氧化现象,进行了空气氧化实验、气氛实验、埋粉实验和温度实验等研究。研究发现,AlN在空气中600℃以下无氧化现象,800℃左右开始先变为无定形状态,1200℃时完全氧化成Al2O3相;在流动工业N2气氛下,使用AlN+4wt%无定形碳混合埋粉时,无氧化现象发生,在烧结过程中产生碳热还原气氛,有效地抑制了氮化铝陶瓷烧结过程的氧化问题,避免了使用高纯N2的高成本和使用一氧化碳或氢气作还原气氛的危险性...............共60页

7、AlN陶瓷封装互连基板低温共烧

  在把握低温共烧陶瓷(LTCC)和AlN陶瓷研究现状和动向的基础上,对AlN陶瓷基板的低温烧结和共烧银金属化进行了探讨研究.为AlN封装互连基板的低温共烧工艺积累了实验数据.主要研究内容如下:该实验采用AlN/玻璃复合烧结体系,以低熔点玻璃相作为烧结助剂.烧成的AlN陶瓷基板介电常数为5~7(室温1MHz),热导率最高达到10W/m·K以上,满足作为高密度封装互连基板的需要.研究了流延基板的 ...............共56页

8、LTCC玻璃/陶瓷基板材料研究

  集成电路的飞速发展,对电子封装提出了更高的要求。其中之一就是采用高性能的封装基板。LTCC(低温共烧陶瓷)多层封装基板采用玻璃-陶瓷材料,具有介电常数低,烧结温度低,热膨胀系数与Si 匹配等优点,可实现高密度封装。LTCC 多层基板除可用于DIP、LCCC、PGA、QFP、BGA、CSP、MCM、SiP 等各种封装制品外,还可用于计算机主板、高速电路基板、功率电路基板、汽车电子电路基板等。本文的研究对象是低烧结温度、低介电常数的玻璃材料(代号LDK),用作LTCC 玻璃陶瓷基板的主料。玻璃的制取采用高温熔融法。具体研究了碱金属离子Li~+、Na~+、K~+和碱土金属离子Ca~(2+)、Mg~(2+)、Zn~(2+)对玻璃性能的影响,同时初步研究了玻璃组成比例对玻璃陶瓷基板性能的影响。重点研究了...............共48页

9、PIP工艺制备陶瓷基复合材料中先驱体交联固化研究

  针对先驱体转化法制备陶瓷基复合材料中先驱体交联反应程度和先驱体活性基团反应率低的问题,采用红外光谱、热分析、扫描电子显微镜等手段,系统地研究了有机硅先驱体热交联过程,明确了不同先驱体提高交联反应程度的主要途径,并将所研究的交联工艺应用于聚硅氮烷(PSZ)先驱体陶瓷基复合材料的制备。为了提高陶瓷基复合材料构件表面的抗氧化性和隔热性,采用紫外光固化法和高温裂解法,研究了不同先驱体的光固化反应过程以及固化膜转化为陶瓷涂层工艺条件。本文首次提出了聚碳硅烷(PCS)在DVB中分散性决定交联反应程度的机理,较好地解决了PCS制备陶瓷基复...............共57页

10、氮化铝陶瓷与其表面金属化研究

  氮化铝(AlN)陶瓷是最理想的高导热基板和封装材料,可广泛应用于高功率器件、电路和组件。本文以稀土氧化物(Y_2O_3)、碱土金属氧化物(CaO)及其复合添加途径,研究了高导热氮化铝陶瓷及厚膜基片的组成、流延工艺、无压烧结及物理性能。采用CaO-B_2O_3-SiO_2-BaO系玻璃结合工艺和TiB_2反应结合工艺,研究了强共价键型氮化铝陶瓷的表面金属化,金属相、粘接相对厚膜金属化性能的影响。采用XRD, DTA-TG,SEM分析表征了相组成、热工艺过程及显微结构,采用激光热导、四探针测试、拉伸试验等测定了热导率、金属化方阻、金属化层的结合强度。优化出的氮化铝陶...............共70页

11、微波法制备AlN材料研究

  AlN陶瓷是新一代半导体基片材料和理想的半导体封装材料,但要制备出综合性能优良的AlN陶瓷,关键之一是要合成出高纯度、细粒度、粒度分布窄、性能稳定的AlN粉末。在现有技术条件下难以低成本的合成出优质的AlN粉末,这极大的限制了AlN陶瓷材料的广泛应用。微波加热具有许多常规加热难以实现的优点,如高能效、无污染、烧结温度低、材料的显微结构均匀、能获取特殊结构或性能的材料等。微波加热具有极好的发 ...............共66页


12、具陶瓷基板与晶粒结构二极管制造方法
13、高刚性玻璃陶瓷基片
14、陶瓷多层基片制造方法
15、绝缘陶瓷/多层陶瓷基片和层叠陶瓷电子部件
16、芯片电阻形成用陶瓷基板与芯片电阻制造方法
17、备有多层陶瓷基板和内埋被动元件多层电路模组
18、低膨胀率透明玻璃陶瓷,玻璃陶瓷基片和光波导元件
19、陶瓷多层基片上表面电极结构与其制造方法
20、利用多孔性材料实现陶瓷基板表面平坦化方法
21、一种制备氮化铝陶瓷基片方法
22、陶瓷基板制造方法
23、多层陶瓷基片制造方法
24、玻璃陶瓷与其基片/液晶嵌镶板用对置基片和防尘基片
25、多层陶瓷基板与制造方法/未烧结陶瓷叠层体与电子装置
26、一种氧化铝陶瓷散热基片制备方法
27、金属化陶瓷散热基片制造工艺
28、敷铜型陶瓷散热基片制造工艺
29、制造多层陶瓷基板方法
30、多层陶瓷基板与其制造方法
31、陶瓷基片用可堆码周转箱
32、一种冲制陶瓷基片压痕模刀
33、多孔性陶瓷与其制造方法,以与微波传输带基片
34、陶瓷接合体/基片支承构造体与基片处理装置
35、制造陶瓷基片方法以与陶瓷基片
36、多层陶瓷基板/其制造方法和制造装置
37、用于制造铜陶瓷复合基片方法
38、氧化物陶瓷材料/陶瓷基片/陶瓷层压设备和功率放大器模块
39、水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片方法
40、胶冻切割成型法生产高性能氧化铝系陶瓷基片生产工艺
41、从陶瓷基片上去除含有钽沉积层和铝电弧喷涂层复合涂层方法
42、一种玻璃陶瓷基板材料配方与制备方法
43、片式陶瓷基电子元件制造方法
44、陶瓷基板制造方法以与使用该陶瓷基板电子元件模块
45、层压陶瓷基板与其制造方法
46、多层陶瓷基板与其制造方法
47、多层陶瓷基板与其制造方法以与使用了它电子机器
48、多层陶瓷基板www.hebeikj.com
49、陶瓷基板用组合物/陶瓷基板/陶瓷基板制造方法与玻璃组合物
50、导电糊与多层陶瓷基板
51、电介质陶瓷材料与层叠陶瓷基板
52、一种平坦陶瓷基板表面方法
53、单层电容器用晶界层陶瓷介质瓷料/基片制造方法与其基片
54、氧化钇透明陶瓷基片制备方法与轧膜成型机
55、陶瓷基片溅射铜箔生产方法
56、多层陶瓷基板与其制造方法
57、叠层陶瓷基板与其制造方法
58、层叠陶瓷基板与其制造方法
59、层叠陶瓷基板制造方法与层叠陶瓷基板
60、陶瓷基板与其制造方法
61、采用粉末冶金工艺制备高导热氮化铝陶瓷基片方法
62、装载板/陶瓷基片制造方法与陶瓷基片
63、电介质陶瓷以与层叠陶瓷基板
64、安装有片状电子元器件陶瓷基板与其制造方法
65、复合陶瓷基板www.hebeikj.com
66、陶瓷片制造方法/使用它陶瓷基板与其用途
67、发光元件安装用陶瓷基板与其制造方法
68、陶瓷总基板/陶瓷基板和陶瓷总基板制造方法
69、制造积层陶瓷基板方法
70、硅熔体渗透陶瓷基质复合材料方法
71、一种纳米孔玻璃与氧化铝陶瓷基板复合载体材料制备方法
72、介电玻璃陶瓷组合物/介电玻璃陶瓷基板与其制造方法
73、介电玻璃陶瓷组合物/介电玻璃陶瓷基板与其制造方法
74、具有高介电常数陶瓷材料芯多组分低温共烧制金属化陶瓷基片与其开发方法
75、多层陶瓷基板与其制造方法
76、氧化物陶瓷材料/陶瓷基片/陶瓷层压设备和功率放大器模块
77、陶瓷基板与其制造方法
78、一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片表面贴装片式熔断器与其制备方法
79、薄膜磁头用陶瓷基板材料
80、多层陶瓷基板
81、多层陶瓷基板与其制造方法和多层陶瓷基板制作用复合生板
82、陶瓷基板/电子器件与陶瓷基板制造方法
83、积层陶瓷基板制造方法
84、多层陶瓷基板制造方法
85、陶瓷基板制造方法以与陶瓷基板
86、多层陶瓷基板内置电容器电容值调整方法以与多层陶瓷基板与其制造方法
87、陶瓷基板www.hebeikj.com
88、高热导率陶瓷基印刷电路板与其制作方法
89、铜膜加厚覆铜陶瓷基板制备方法
90、陶瓷基板上绘制电子组件线路图技术改良
91、制造金属 陶瓷连接基片方法
92、氮化铝 硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料与其制备方法
93、一种低温共烧堇青石系玻璃-陶瓷基板粉料与其制备方法
94、具有内埋孔穴多层陶瓷基板与其制造方法
95、在陶瓷基板制作小孔径镀铜贯穿孔方法
96、具斜角型反射杯LED陶瓷基板制法
97、多层陶瓷基板www.hebeikj.com
98、陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池
99、陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池
100、导体浆料/多层陶瓷基板以与多层陶瓷基板制造方法
101、多层陶瓷基板与其制造方法以与电子器件
102、金属化陶瓷基板芯片制造方法
103、一种陶瓷基片电阻板制备方法与所得电阻板
104、基于氮化铝微晶陶瓷基板稀土厚膜电路电热元件与其制备工艺
105、耐超高温陶瓷基复合材料与其制备方法
106、一种硼化物-碳化硅-碳化硼三元陶瓷基复合材料与其制备方法
107、用于片式天线微波陶瓷基板制备方法
108、低温共烧陶瓷基板与其制作方法以与半导体封装装置
109、具有散热功能陶瓷基板结构与其制造方法
110、一种高导热率氮化铝陶瓷基片制作方法
111、碳 碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法
112、具有陶瓷基板模块化电感装置与其制造方法
113、多层陶瓷基板与其制造方法以与电子器件
114、多层陶瓷基板/其制造方法与其翘曲抑制方法
115、用于陶瓷基底导体浆料和电路
116、一种氧化锆陶瓷基复合材料与其制备方法
117、一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料制备方法
118、一种陶瓷基板材料与其制备方法暨以该材料制备片式熔断器
119、纤维增强ZrC陶瓷基复合材料制备方法
120、基于熔盐法陶瓷基复合材料构件表面金属化工艺
121、混合型金属-陶瓷基复合结构材料与其制造方法
122、多层陶瓷基板制造方法以与使用了它电子机器
123、玻璃陶瓷基板www.hebeikj.com
124、感应加热辅助自蔓延反应制备金属陶瓷基复合材料方法
125、用于多芯片系统三维封装陶瓷基板与其封装方法
126、C ZrC陶瓷基复合材料与其制备方法
127、一种高导热AlN电子陶瓷基片生产方法
128、一种低温共烧陶瓷基板材料与其制备方法
129、带有阵列式微孔打印头陶瓷基板粉末微注射成型模具
130、打印头陶瓷基板粉末微注射成型方法
131、多层陶瓷基板制造方法与复合片材
132、微电子线路用陶瓷基片与其制作方法
133、陶瓷布线基片与其制造方法
134、莫来石陶瓷多层基片与其生产方法
135、分割陶瓷基片方法与分割设备
136、用于混合式集成电路陶瓷基片
137、具有光滑镀层金属化陶瓷基片与其制造方法
138、氮化硅陶瓷电路基片与使用该陶瓷基片半导体器件
139、玻璃和使用该玻璃陶瓷基片
140、采用单层陶瓷基板芯片大小组件半导体
141、用于磁性信息存储介质玻璃-陶瓷基片
142、陶瓷基板流延法制备工艺
143、金属-陶瓷组合物基片与其生产方法和用于这种方法钎焊料
144、氧化物陶瓷材料与其多层基片
145、磁信息存储媒体用玻璃陶瓷基板
146、一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片方法
147、用于磁信息存储媒体高刚性玻璃陶瓷基片
148、用于磁信息存储媒体高刚性玻璃陶瓷基片
149、导电性薄片/薄板烧结体与陶瓷基片制造与加工方法
150、用于信息存储媒体玻璃陶瓷基片
151、半导体陶瓷电容器基片生产工艺
152、电子陶瓷基板与薄片陶瓷器件快速凝固流延成型方法
153、用于信息存储介质玻璃陶瓷基片与其制造方法和信息存储介质盘
154、用于磁信息存储媒体玻璃陶瓷基板
155、制造半导体陶瓷电容器基片用组合烧结炉
156、制造多层陶瓷基片方法
157、金属箔和陶瓷结合材料制造方法与金属箔层压陶瓷基板
158、一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术





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