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金属蚀刻液、蚀刻液配方专利技术资料汇编


1、A/公司蚀刻工序/质量控制研究

  按照PDCA的质量原则进行产品过程质量控制。 首先,面对公司改善磁头蚀刻工序的质量目标,我们使用新的工序公差要求对蚀刻工序测量系统的重复性,再现性和偏倚性进行研究改善和评估,同时对蚀刻工序的质量数据取样方式进行分析研究,以保证工序质量数据的准确性和可靠性。随后,在磁头蚀刻工序中建立了数据分析模型POV,利用POV模型对蚀刻工序的质量数据进行分层分析,找到圆晶片上蚀刻深度的不均匀性是影响磁头蚀刻工序质量指标的最关键因素。 然后,针对关键因素圆晶片上蚀刻深度的不均匀,运用分析工具因果图进行原因分析,在找出原因后采取改进措施,并且进行措施巩固。 最后是工序质量改善结果

2、湿式化学蚀刻在半导体工业中应用

  比较了无搅拌、磁石搅拌和超音波振荡三种方式下蚀刻的不同,发现以超音波搅拌方式所制作出来的蚀刻表面,相当的细致且均匀。在超音波输出功率为50 W时,所蚀刻出来的表面粗糙度(Ra)可达45?,可说是已达到光学镜面的质量。其次,研究发现超音波振荡虽然可以大幅度的改善表面粗糙度,但是对于所要制作的微结构可能会产生损害,尤其是用于微传感器的薄膜微结构相当脆弱,其厚度只有几千个?。如果超音波振荡过大,其强大的机械力会使薄膜微结构产生断裂,造成无法弥补的损害。有藉于此,本研究使用添加界面活性剂的方法,以物理的方式来取代一

3、阳极氧化铝模板的定量蚀刻与在金属纳米线阵列制备中应用

  以孔径为200 nm的阳极氧化铝(AnodicAluminum Oxide,AAO)膜为模板、采用电化学方法制备了具有不同长径比的金属纳米线;对阳极氧化铝模板的定量化蚀刻进行了研究,得到了阵列化的纳米线结构;对小孔径聚合物纳米管的制备进行了尝试。本论文的主要研究内容包括以下几个方面:一、氧化铝模板的定量化蚀刻实现纳米结构的可控制备,是纳米材料应用的重要前提,将电沉积技术与氧化铝模板的定量蚀刻相结合可以很好的解决这一问题。采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用相对温和、具有良好可控性的磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列。使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对蚀

4、印刷线路板精细蚀刻研究

  采用静态和动态蚀刻两种蚀刻方法通过对比试验研究了酸性氯化铜蚀刻溶液组成和蚀刻工艺对蚀刻速度和蚀刻质量的影响,找到了影响蚀刻速度和蚀刻质量的主要因素及其相互关系。这对提高印刷线路板蚀刻质量,酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻速度,减轻环境污染有着较大的现实意义。在静态蚀刻时,采用重量分析试验法通过研究印刷线路板铜箔在酸性CuCl2溶液中影响蚀刻速度的几个因素,研究指出:温度对蚀刻速度提高起着很重要的作用,蚀刻速度随蚀刻时间存在一定变化规律,并给出了初步的解释;同时得到了蚀刻液中几种不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响,结果显示阴离子不是影


5、金属无酸蚀刻机
6、可减少金属蚀刻残留物形成导电结构层方法
7、一种用于金属层蚀刻轮廓控制方法
8、蚀刻液与挠性配线板制造方法
9、金属蚀刻装饰条与其制造方法
10、金属彩色蚀刻画与其生产方法
11、金属蚀刻装饰板与其制造方法
12、半导体金属蚀刻工艺方法
13、蚀刻液组合物
14、用于高锰酸盐蚀刻液电化学再生阴极
15、基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程与再生用于金属层蚀刻过程腐蚀剂方法
16、热塑性聚酰亚胺树脂用蚀刻液
17、蚀刻方法以与蚀刻液定量分析方法
18、金属蚀刻画制造方法
19、银合金蚀刻液
20、金属薄膜干蚀刻后处理方法与蚀刻与去光阻整合系统
21、金属层蚀刻制造过程腐蚀水洗预防法
22、蚀刻法与蚀刻液
23、金属电浆蚀刻后晶圆清洗方法
24、蚀刻液
25、金属披覆板电浆蚀刻进度监测结构
26、蚀刻液组合物
27、注入有金属物质蚀刻阻挡层金属栅极叠层构造
28、用于线路蚀刻液/制造线路方法和包括此方法制造薄膜晶体管阵列板方法
29、金属斜角蚀刻结构/源极 漏极与栅极结构与其制造方法
30、蚀刻液再生方法/蚀刻方法和蚀刻系统
31、一种金属蚀刻地图设计制作工艺
32、金属导线蚀刻方法
33、银合金蚀刻液
34、水晶玻璃镶嵌金属蚀刻画
35、蚀刻液组合物
36、复合金属材料与其制造方法/蚀刻金属材料与其制造方法/以与电解电容器
37、适用于形成集成电路互连和器件金属-金属氧化物蚀刻阻滞 电子迁移屏蔽方法
38、在金属层蚀刻后移除光阻方法
39、一种无酸金属蚀刻方法和它蚀刻机
40、以银为主成分金属薄膜蚀刻液组合物
41、蚀刻液
42、蚀刻液组合物与使用该蚀刻液组合物制造反射板方法
43、蚀刻液与应用该蚀刻液选择性去除阻障层导电凸块制造方法
44、消除金属导电层静电使蚀刻完全方法
45、蚀刻液管理方法和蚀刻液管理装置
46、喷淋型铝合金化学蚀刻液
47、蚀刻系统与其蚀刻液处理方法
48、蚀刻液/其补给液/使用其蚀刻方法和布线基板制法
49、金属膜蚀刻液组合物
50、金属光蚀刻制品与该制品制造方法
51、用于互连结构金属蚀刻方法和通过这种方法获得金属互连结构
52、用于切割非晶态金属形状选择性蚀刻工艺以与通过该工艺而制成元件
53、含钛层用蚀刻液以与含肽层蚀刻方法
54、含有金属卤化物腐蚀抑制剂碱性后等离子体蚀刻 灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
55、蚀刻液回收系统与方法
56、一种铜蚀刻液与其循环使用方法
57、挠性印刷电路绝缘薄膜化学蚀刻法与其蚀刻液
58、金属板电解蚀刻装置
59、钛或钛合金用蚀刻液
60、银合金蚀刻液
61、酸性蚀刻液再生方法和酸性蚀刻液再生装置
62、用于半添加法印刷布线基板制造蚀刻除去方法与蚀刻液
63、用选择性金属蚀刻提高声共振器性能
64、移除栅极上金属硅化物层方法与蚀刻方法
65、使用金属铝回收与再利用废弃含氨碱性铜蚀刻剂方法
66、钝化金属蚀刻结构
67、一种金属标牌蚀刻机
68、蚀刻液/蚀刻方法以与印刷电路板
69、蚀刻方法和蚀刻液
70、用于金属栅极集成栅极堆叠与栅极堆叠蚀刻顺序
71、半导体基板制造方法/太阳能用半导体基板与蚀刻液
72、绝缘基材金属化方法,其中粗糙化和蚀刻过程由量测光泽而加以控制
73、铜蚀刻液以与蚀刻方法
74、在不锈钢管表面蚀刻出彩色图案方法
75、蚀刻液和补给液以与使用它们导体图案形成方法
76、钛/铝金属层叠膜蚀刻液组合物
77、防止屏障层中金属钛被蚀刻或腐蚀掉方法
78、氯化物体系线路版废蚀刻液中铜提取方法
79、从酸性蚀刻液中回收盐酸和硫酸铜方法
80、氯化铵蚀刻液充氧装置
81、蚀刻液组合物
82、蚀刻液喷射装置与蚀刻方法
83、同时电解再生酸性蚀刻液和微蚀液方法
84、金属选择性蚀刻液
85、铜锡电镀污泥与线路板蚀刻液联合处理方法
86、钛/铝金属层叠膜蚀刻液组合物
87、一种不锈钢蚀刻工艺
88、蚀刻方法/金属膜结构体制造方法以与蚀刻结构体
89、一种不锈钢电解蚀刻工艺
90、蚀刻液以与使用此蚀刻液图案化导电层制造方法
91、利用金属铝对废弃酸性铜蚀刻剂进行处理并回收工艺
92、铝合金化学蚀刻液
93、半导体基板金属线再蚀刻方法
94、显示面板金属层蚀刻方法
95、一种电化学蚀刻液与蚀刻方法
96、具有BPSG膜和SOD膜基板蚀刻液
97、金属氮化物选择性湿蚀刻
98、钯选择性蚀刻液以与控制蚀刻选择性方法
99、蚀刻液处理方法与系统
100、铝类金属膜与钼类金属膜层叠膜用蚀刻液
101、蚀刻液组合物与蚀刻方法
102、半导体用氟表面蚀刻液与其制备方法
103、铜蚀刻液再生循环方法与装置
104、平板显示器玻璃蚀刻液
105、一种铜蚀刻液组合物与其生产方法
106、碱性蚀刻液与其生产方法
107、蚀刻液组合物/研磨用组合物与其制造方法以与研磨方法
108、碱性高锰酸盐蚀刻液再生方法与其所用单元
109、蚀刻液供应装置/蚀刻装置与蚀刻方法
110、蚀刻液管理装置
111、用于铜 钼金属蚀刻液组成物与蚀刻方法
112、蚀刻液再生方法,蚀刻方法与蚀刻装置
113、半导体基板制造方法/太阳能用半导体基板与蚀刻液
114、基板蚀刻液
115、蚀刻液组合物
116、导电性高分子用蚀刻液/与将导电性高分子图案化方法
117、电解电容器用铝蚀刻板
118、用于制造印制电路板蚀刻液与蚀刻方法
119、一种酸性蚀刻液
120、一种印制电路蚀刻液
121、平板玻璃基板减薄蚀刻液
122、薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻液组合物
123、废蚀刻液循环再生与铜回收处理系统
124、构成平板显示器玻璃蚀刻液组合物
125、印刷电路板阳极蚀刻方法
126、蚀刻液
127、基板金属层蚀刻方法
128、蚀刻超薄膜方法与蚀刻液
129、一种新型金属蚀刻方法
130、蚀刻液
131、蚀刻液
132、全闭路PCB碱性蚀刻液再生与铜回收系统
133、一种用电路板含铜蚀刻废液生产饲料级硫酸铜方法
134、蚀刻液浓度控制方法
135、蚀刻液与导体图案形成方法
136、一种金属灯饰蚀刻工艺
137、蚀刻液组合物
138、蚀刻液
139、蚀刻方法与蚀刻装置
140、蚀刻液以与采用所述蚀刻液塑料表面金属化方法
141、干式蚀刻装置与干式蚀刻方法
142、干式蚀刻方法
143、图案化光酸蚀刻以与由其制得制品
144、用于蚀刻铜和回收废蚀刻溶液方法
145、蚀刻液组合物
146、蚀刻剂/蚀刻方法与蚀刻剂制备液
147、用高蚀刻速率抗蚀剂掩膜进行蚀刻
148、斜面蚀刻工艺之后铜脱色防止
149、硅各向异性蚀刻液组合物
150、等离子体蚀刻方法
151、蚀刻液和使用了该蚀刻液铜配线形成方法
152、铟锡氧化物导电膜图形蚀刻蚀刻液
153、ITO导电膜图形蚀刻蚀刻液组合物
154、透明导电薄膜用湿法蚀刻液与其制造方法
155、柔性线路板蚀刻液浓度控制装置
156、一种高精度控制废蚀刻液内各离子浓度提铜方法
157、一种酸性废蚀刻液循环再生方法与装置
158、含酸性氯化物蚀刻剂循环再生与金属回收设备
159、PCB酸性氯型铜蚀刻液废水制备高纯阴极铜方法
160、半导体元器件干蚀刻方法
161、一种晶圆蚀刻工艺中显影方法
162、蚀刻装置与方法
163、干法蚀刻方法
164、印刷电路板酸性蚀刻废液处理方法
165、一种碱性蚀刻废液回收铜与碱性蚀刻液回收方法
166、一种硅片蚀刻液与其制备方法
167、蚀刻液调合装置与蚀刻液浓度测定装置
168、蚀刻薄膜电阻电路板制作方法
169、基材蚀刻方法
170、供各向同性铜蚀刻蚀刻调配物
171、含铜蚀刻废液处理方法与蚀刻溶液再生方法
172、被处理体蚀刻方法
173、等离子体蚀刻装置与其蚀刻方法
174、液晶显示器系统中铜/铜 钼或铜 钼合金电极蚀刻液体
175、铝车轮表面处理方法以与碱蚀刻液
176、印制板酸性蚀刻废液铜回收系统与蚀刻液再生方法
177、一种单液型酸性蚀刻液
178、一种双液型酸性蚀刻液氧化剂
179、一种碱性蚀刻液
180、用于金属与金属氧化物透明导电层蚀刻膏与蚀刻工艺
181、废塑料与蚀刻废液再资源化方法
182、一种再生酸性蚀刻液和回收铜方法与其专用装置
183、等离子体蚀刻加工方法
184、一种铝合金装饰件蚀刻/喷漆复合工艺
185、蚀刻装置与蚀刻方法
186、用于铜或铜合金蚀刻液/蚀刻前处理液与蚀刻方法
187、蚀刻方法
188、用金属离子溶液催化对硅表面抗反射蚀刻
189、等离子体蚀刻方法
190、非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物与使用方法
191、激光蚀刻品制备方法以与激光蚀刻品
192、硅蚀刻液和蚀刻方法
193、从酸性氯化铜蚀刻液中回收铜方法
194、一种酸性蚀刻废液综合处理方法
195、金和镍选择蚀刻液
196、一种低张力ITO蚀刻液
197、一种铝钼蚀刻液
198、光掩模坯料/加工方法和蚀刻方法
199、一种立体工件蚀刻方法
200、含铜层积膜用蚀刻液
201、用于化学蚀刻工件装置
202、一种金属板电解蚀刻方法与其蚀刻机
203、金属板材电解蚀刻方法与其蚀刻机
204、含铜材料用蚀刻剂组合物与含铜材料蚀刻方法
205、含铜材料用蚀刻剂组合物与含铜材料蚀刻方法
206、由印制电路板蚀刻废液合成富马酸铜生产方法
207、一种在铁基板上蚀刻V-CUT方法
208、等离子蚀刻装置
209、金属微孔蚀刻方法
210、碱性蚀刻废液循环回收工艺
211、采用酸性蚀刻废液制备高纯氧化铜方法
212、蚀刻方法和光掩模坯料加工方法
213、等离子体蚀刻方法
214、一种高纵横比PCB产品外层线路蚀刻方法
215、废蚀刻液中铜回收方法
216、电子移印机专用钢模凹版蚀刻液
217、一种不锈钢超微精细蚀刻方法
218、一种不锈钢快速深度电化学蚀刻方法
219、铜蚀刻液用添加剂
220、废蚀刻液重复使用方法
221、在不锈钢管上形成蚀刻图案方法
222、金属板蚀刻书画工艺制品
223、减少集成电路制造过程中侧壁堆积金属蚀刻方法
224、金属氧化物 光致抗蚀膜积层体干蚀刻方法
225、便携式金属蚀刻机
226、金属电蚀刻机
227、在铝 铜金属线路上除去活性离子蚀刻后聚合物
228、金属立体蚀刻防护模板空心技术
229、可形成均匀蚀刻液膜装置
230、铝 铜金属连线上反应离子蚀刻后聚合物清除方法

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