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肖特基二极管、肖特基势垒、SBD二极管生产专利技术资料汇编


1、功率肖特基二极管的可靠性研究

  肖特基二极管(SBD)作为中、低功率DC/DC电源模块内整流器件的主要选择,广泛应用于航空航天和舰载武器装备中。由于工作中SBD的高功耗以及由此引起的自升温,其可靠性受到严重影响,是电源模块中最容易失效的器件之一。目前对SBD进行可靠性评价主要是依照国军标548A、美军标1016等恒定应力加速寿命试验评价方法,其缺点为所需的样品较多、时间较长、费用高、效率低,不适于快速评估目前可靠性要求较高的SBD器件。而恒定电应力温度斜坡法(CETRM)能够很好的解决上述问题。本文使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)评价了DC/DC电源模块中关键器件SBD的可靠性,主要进行了以下三方面的工作:(1)在高温条件下,通过测得SBD在高温环境下...............共65页

2、碳化硅肖特基二极管高温特性研究

  对实数据进行了分析表明,热电子发射是正向电流的主要输运机制,SiC中载流子的不完全离化是正向特性随温度变化的主要影响因素.在(297K-677K)的温度范围内,正向伏安特性符合热电子发射理论.反向电流中(反偏电压<30V),隧道电流、热电子发射电流、耗尽区载流子产生电流都随着温度的升高而增大,同时肖特基势垒高度随温度的升高增大.综合的结果是,反向电流随温度的上升变化不大................共58页

3、有机薄膜肖特基二极管的研究

  随着电子产业的发展,各种电子产品在人们的日常生活中发挥越来越大的作用,半导体器件是各种电子产品的重要组成部分。半导体器件的电气性能会影响整个产品的功能,半导体器件的成本会影响电子产品的成本。传统的半导体器件是由以硅为代表的无机半导体材料制成,虽然它具有优异的电子特性,但其价格昂贵,制备工艺复杂;近年来,由有机半导体材料制备的有机半导体器件经历了快速发展,有机半导体器件制备工艺简单、成本低,可以降低电子产品的成本,对有机半导体材料制成的有机半导体器件的研究已经成为热点,并且有机器件已...............共70页

4、RF CMOS工艺肖特基二极管特性与建模研究

  本文对RF CMOS工艺肖特基二极管特性及建模进行了研究。主要内容包括:(1)采用中芯国际(SMIC)0.18μm RF CMOS工艺设计和制造了肖特基二极管的版图以提高其高频性能。(2)根据测试结果分析和总结了影响肖特基二极管特性的因素,如肖特基面积以及保护环等。(3)基于测试数据建立了一个精确的肖特基二极管的模型。这个模型考虑到了硅衬底的体效应和分布效应,在50MHz~8.5GHz频率范围内很好地与测试数据吻合...............共68页

5、退火处理对肖特基二极管反向击穿电压影响研究

  利用国内电子企业现有制备肖特基二极管条件,在电阻率为2.85~3.15Ω·cm外延层上制作两种肖特基二极管样品,其中一种样品在溅射 Cr 和 Ni 后分别进行退火处理,而另一种样品没有进行退火处理。由于金属一半导体接触时表面态和界面层的存在,实际 SBD 器件的势垒高度受表面态和界面层的影响很大。目前对这两个参数没有很好的提取方法,严重妨碍对器件特性的分析和模型的建立。本研究在热电子发射模型的基础上,建立一种提取 Si 基SBD器件特性参数的理论模型,基于这个模型,对两种样品的性能进行测试,并计算出退火和未退火样品的...............共54页

6、SiC SJ SBD设计及仿真

  利用二维器件模拟软件MEDICI开展大功率SiC SBD器件结构设计及性能仿真技术研究。通过对4H-SiC肖特基势垒二极管的正向特性和阻断特性进行研究分析,以降低器件的比导通电阻(Ron,sp)为主要研究目标,采用结构参数优化,以及引入新的器件结构理论等方法,在保持确定击穿电压条件下,尽量减小比导通电阻,实现输出功率最大化。本文以数值模拟的方法重点分析了SiC SBD常规结构的参数优化、超结理论在漂移层设计中的应用、半超结结构以及超结中电荷非平衡的影响。在对常规结构漂移区参数优化中发现,穿通型(PT)的漂移区设计可以得到比非穿通型(NPT)更低的导通电阻。为了有效改善常规结构中高阻断能力和低导通电阻之间的矛盾,研...............共48页

7、4H-SiC高压肖特基二极管及结终端技术研究

  碳化硅(SiC)是近十几年来迅速发展起来的第三代半导体材料之一。与传统半导体材料Ge,Si以及GaAs相比,SiC以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、大功率、高频微波及抗辐照电子器件的理想材料。在高频电路和微波领域,具有高功率、高温及高可靠性的4H-SiC肖特基二极管(SBD)具有广阔的应用前景。为了改善4H-SiC SBD的反向阻断特性,提高器件的击穿电压,本文利用器件数值仿真工具对结终端扩展(JTE)结构的4H-SiCSBD的击穿特性进行了研究,分析了击穿电压与结构参数的关系,给出了优化的器件结构参数,提出了一种优化设计该类器件的方法。针对严重影响4H-SiCSBD击穿特性的表面电场和电势分布,通过求解二维泊松方程,建立了一个精确且简化的JTE...............共56页

8、肖特基二极管相关材料生长及器件研究

  以降低器件的串连电阻为目的,采用半导体薄膜材料作有源层。利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术外延了亚微米级的Si薄膜,成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件。此后又对用新型材料作SBD作了有益的尝试,首次研制了ZnO薄膜肖特基二极管的原型器件,这标志着我们从半导体材料的生长向半导体器件的研制迈出了重要的一步。本文的具体工作可归纳为:1)薄硅外延片研制高频肖特基二极管的原型器件。a)利用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术在重掺Si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。b)在薄硅外延片的生长基...............共60页

9、薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制

  首先,从理论上分析出高频肖特基二极管对材料的外延层厚度掺杂浓度的要求,以及其它的器件结构参数要求,以此为依据,设计出最佳的器件参数。2.然后,根据器件的要求,利用UHV/CVD技术,生长出优质薄硅外延片,其厚度在0.4μm~1μm,掺杂浓度可任意调节,晶体质量良好。3.最后,利用所生长的薄硅外延片,探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺,包括氧化工艺、光刻工艺、真空镀膜工艺等,制作出了高频肖特基二极管的原型器件。该器件理想因子n=3.2,正向导通电压为0.5V左右,反向击穿电压为16v。目前该技术已申请专利。...............共50页

10、高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究

  利用二维半导体模拟软件ISE-DESSIS进行了结终端技术和新型结构的研究:由于受到电场集中效应的影响,器件的耐压将会严重下降,因此必须使用相应的结终端技术。本文讨论了常用的平面结终端技术,包括场板、场限环、结终端扩展等技术来改善耐压,分析了各种技术的工作机理及其结构参数对击穿电压的影响;在此基础上,设计了将三种技术结合使用的一种复合型终端技术,结果表明该结构改善了器件击穿电压的可靠性和稳定性。在器件的外延层中引入了埋层结构,研究表明浮结型埋层的加入能大大提高器件的耐压,并能改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾;详细分...............共44页

11、AlGaN-GaN肖特基二极管的设计及关键工艺研究
12、一种ZnO肖特基二极管
13、ZnO肖特基二极管
14、偏移场板结构的4H-SiC PiN 肖特基二极管及其制作方法
15、场限环结构的4H-SiC PiN 肖特基二极管制作方法
16、一种3A肖特基二极管的引线
17、3-D AND 用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维肖特基二极管、其形成工艺及其使用方法
18、基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
19、新型金属半导体接触制作肖特基二极管
20、纳米硅肖特基二极管
21、制造肖特基变容二极管方法
22、肖特基二极管
23、低顺向电压降肖特基屏蔽二极管与其制造方法
24、高频肖特基二极管
25、肖特基势垒二极管与其制造方法
26、肖特基势垒二极管制造方法
27、肖特基势垒二极管与其制造方法
28、肖特基势垒二极管与其制造方法
29、肖特基势垒二极管与其制造方法
30、肖特基势垒二极管与其制造方法
31、集成型肖特基势垒二极管与其制造方法
32、肖特基势垒二极管与其制造方法
33、高频肖特基二极管电化学制作方法
34、一种肖特基二极管
35、双掩模沟槽肖特基二极管
36、碳化硅肖特基势垒二极管与其制作方法
37、结势垒控制肖特基二极管终端与方法
38、一种肖特基二极管原型器件与其制备方法
39、肖特基势垒二极管制造方法
40、一种肖特基二极管原型器件
41、沟槽肖特基势垒二极管
42、新结构肖特基毫米波混频二极管
43、金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合瘦小外形封装
44、MOSFET和肖特基二极管结合瘦小外形封装
45、一种锗硅肖特基二极管与其制作方法
46、锗硅肖特基二极管与其制作方法
47、一种多晶锗硅肖特基二极管与其制备方法
48、一种肖特基二极管
49、具有垂直势垒肖特基二极管
50、一种锗硅肖特基二极管
51、锗硅肖特基二极管
52、一种多晶锗硅肖特基二极管
53、在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体有机肖特基二极管
54、由碳化硅制造单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管与其制造方法
55、减小电容和开关损失肖特基二极管结构与其制造方法
56、集成肖特基二极管沟槽型MOS制作方法
57、肖特基势垒二极管
58、肖特基势垒二极管结构
59、一种获取肖特基二极管结参数方法
60、肖特基二极管与制作方法
61、肖特基二极管与其制造方法
62、具有低电流集边效应金属 氮化镓铝 氮化镓横向肖特基二极管与其制备方法
63、具有不同氧化物厚度沟槽肖特基势垒二极管
64、具有改进浪涌能力肖特基二极管
65、具有抑制少数载流子注入碳化硅结势垒肖特基二极管
66、肖特基势垒二极管与其使用方法
67、一种利用界面氧化层制备NiSi Si肖特基二极管方法
68、一种肖特基二极管
69、集成肖特基二极管制造方法
70、肖特基二极管等效电路模型与其参数提取方法
71、肖特基势垒二极管器件与其制作方法
72、肖特基二极管
73、具有集成肖特基二极管高密度沟槽FET与制造方法
74、用于SiC肖特基二极管钼势垒金属与制造工艺
75、具有浮岛结势垒肖特基二极管
76、沟槽结势垒可控肖特基二极管
77、具有多划分保护环肖特基二极管结构与制备方法
78、纳米硅肖特基二极管
79、使用肖特基二极管为选通管相变存储单元与制备方法
80、一种肖特基二极管制备方法
81、肖特基二极管制备方法
82、功率MOS晶体管与肖特基二极管集成方法与结构
83、低正向压降肖特基二极管用材料外延方法
84、肖特基二极管与其形成方法
85、具有共同封装肖特基二极管高压高功率升压变换器
86、底部阳极肖特基二极管结构和制造方法
87、高效节能肖特基二极管
88、一种高抗静电肖特基二极管
89、在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管MOS器件
90、具有肖特基二极管高压半导体元件
91、半导体器件肖特基二极管与其制造方法
92、肖特基二极管与制造方法、电阻转换存储器制造方法
93、自对准肖特基二极管与相应电阻转换存储器制造方法
94、基于含锑肖特基二极管与自对准制造方法
95、集成有肖特基二极管平面MOSFET与其布局方法
96、底部阳极肖特基二极管结构与形成方法
97、高抗静电肖特基二极管
98、改进肖特基二极管双顶头引线
99、肖特基势垒二极管与其产生方法
100、肖特基势垒二极管
101、结势垒肖特基二极管
102、一种肖特基势垒二极管与其制备方法
103、一种肖特基二极管与其制备方法
104、一种CMOS嵌入式肖特基二极管制造方法
105、一种调节金属和硅形成肖特基二极管势垒方法
106、变温肖特基二极管特性测试仪
107、一种GaAs肖特基变容二极管与其制作方法
108、肖特基二极管测试方法
109、肖特基二极管金属结构正反向腐蚀工艺
110、PMOS晶体管与肖特基二极管整合元件
111、接面晶体管与肖特基二极管整合元件
112、具有外延式护环肖特基二极管元件与其制作方法
113、用于高压P阱肖特基二极管稳固结构
114、沟槽式肖特基二极管与其制作方法
115、消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流方法
116、一种功率型AlGaN GaN肖特基二极管与其制作方法
117、一种肖特基二极管结构
118、一种肖特基二极管
119、沟道式MOS P-N 结肖特基二极管结构与其制作方法
120、变温肖特基二极管特性测试仪
121、一种肖特基二极管
122、一种场板结构氮化镓基肖特基二极管
123、PN结和肖特基结混合式二极管与其制备方法
124、一种N-P互补肖特基二极管结构
125、氮化镓异质结肖特基二极管
126、一种指数掺杂GaAs肖特基变容二极管与其制作方法
127、共用金属层肖特基二极管和相变存储器与其制造方法
128、具有肖特基二极管沟槽MOS装置与其制造方法
129、具有肖特基二极管功率半导体结构与其制造方法
130、具有肖特基二极管沟槽式功率半导体结构与其制造方法
131、单胞中集成肖特基二极管沟槽MOS器件与制造方法
132、整合肖特基二极管与功率晶体管于基材制造方法
133、肖特基二极管、半导体存储器与其制造工艺
134、沟槽式肖特基势垒二极管整流器件与制造方法
135、一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件与制造方法
136、金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管整合与制作方法
137、一种肖特基二极管制备方法
138、与沟槽-栅极DMOS兼容集成保护式肖特基二极管结构与方法
139、肖特基二极管
140、化合物半导体基肖特基二极管作为开关相变存储器与方法
141、在深沟槽肖特基二极管晶圆深沟槽内淀积多晶硅方法
142、高电压半导体器件中集成肖特基二极管
143、一种低正向压降肖特基二极管与其制造方法
144、一种肖特基二极管制造方法
145、一种肖特基二极管与其制造方法
146、一种功率型GaN基肖特基二极管与其制作方法
147、一种肖特基二极管正面电极结构与其工艺制造方法
148、光伏旁路肖特基二极管制造工艺
149、与功率芯片相兼容集成沟槽防护型肖特基二极管结构与方法
150、单胞中集成肖特基二极管沟槽MOS器件
151、片式肖特基二极管
152、沟槽式肖特基势垒二极管整流器件
153、一种沟槽式肖特基势垒二极管整流器件
154、网格保护结构肖特基二极管
155、贴片式双肖特基二极管
156、肖特基二极管
157、肖特基二极管开关和包含它存储部件
158、一种低电容肖特基二极管制造方法
159、表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片制造方法
160、具有肖特基势垒二极管碳化硅半导体装置与其制造方法
161、瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合晶体管
162、具有肖特基二极管测温大功率LED
163、双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
164、叠置P+P结势垒控制肖特基二极管
165、具有合并场板和保护环肖特基二极管
166、一种肖特基二极管
167、肖特基二极管与其制作方法
168、功率晶体管内集成肖特基二极管器件与其形成方法
169、一种铟镓锌氧化物肖特基二极管器件与其制备方法
170、具有高反向阻断性能肖特基二极管与其制造方法
171、高性能肖特基二极管制造方法
172、SiC肖特基二极管与其制作方法
173、SiC结势垒肖特基二极管与其制作方法
174、肖特基势垒二极管
175、瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合晶体管
176、高抗静电能力肖特基二极管
177、可降低正向导通压降肖特基二极管
178、低正向导通压降肖特基二极管
179、双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
180、新型碳化硅肖特基二极管
181、片式肖特基二极管
182、一种肖特基二极管
183、一种肖特基二极管
184、一种肖特基二极管
185、有稳定双极晶体管和肖特基二极管半导体器件制造方法
186、肖特基二极管、整流器与其制造方法


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