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氮化硅陶瓷、氮化硅生产制造应用专利技术资料大全


1、Au-Ni-V基高温活性钎料连接氮化硅陶瓷的工艺与机理研究

利用Au-Ni-V钎料对Si_3N_4陶瓷进行钎焊,研究钎料成分和工艺参数变化对接头显微组织和性能的影响;深入探讨接头的显微组织与力学性能之间的关系;揭示含V活性钎料连接Si_3N_4陶瓷的界面反应机理;并在Au-Ni-V钎料中加入第四组元Pd或者Mo,讨论第四组元的加入对接头显微组织,力学性能以及连接机理的影响。研究发现,利用Au-Ni-V钎料连接得到的Si_3N_4/Si_3N_4陶瓷接头主要由三部分组成:Si_3N_4陶瓷母材,由Au[Ni]固溶体和富Ni相构成的焊缝合金区,以及陶瓷母材和焊缝合金区之间的VN界面反应层。当钎焊条件为1373K/30min时,钎料合金中V含量在一定范围内增加,VN界面反应层增厚,使得界面结合强度增加,对接头的力学性能有利,但V含量超过15at.%时,焊缝合金区中的脆性相Ni_2SiV..............共56页

2、氮化硅的超高压烧结研究

氮化硅(Si3N4)作为一种高温结构陶瓷,具有高强度、高硬度、良好的抗热震、抗氧化、耐腐蚀等优良性能,被广泛应用于机械、石油、化工、航空航天等行业。本研究以α—Si3N4、β—Si3N4、γ—Si3N4为原料,选用Y2O3、La2O3、Al2O3为烧结助剂,采用超高压烧结技术制备氮化硅陶瓷。通过相对密度测试、维氏硬度测量、X射线衍射(XRD)及扫描电镜观察(SEM)对氮化硅的高压稳定性、烧结过程、显微结构进行了研究。研究结果表明,α—Si3N4、γ—Si3N4为高温高压不稳定相,当烧结温度、压力较高时发生向β—Si3N4的相转变。在5.2—5.7GPa高压下,α—Si3N4相转变开始于1100—1200℃,相转变程度随温度、压力的升高而增大,在5.7GPa、1300℃时基本完成。γ—Si3N4在5.7GPa向α..............共40页

3、氮化硅基复合陶瓷高压燃烧合成机理与工艺的研究

为开发低成本、高效率工艺制备高性能复杂形状氮化硅陶瓷,本文以TiSi2为反应原料,SiC作稀释剂,用压制方法制得生坯,系统研究了氮化硅基陶瓷的燃烧合成反应热力学、工艺规律、致密化机理及产物性能,并通过向原料中掺杂Mo粉,对氮化硅陶瓷进行改性。采用低压注射成形制备盲孔细长管毛坯,结合自蔓延高温合成热等静压(SHS-HIP)烧结技术,探索快速、高效合成复杂形状零件的低成本制备工艺。具体工作如下:利用热力学方法计算了TiSi2-SiC-N2体系的绝热温度Tad,分解压力,吉布斯自由能及工艺参数对转化率的影响。结果表明:SiC含量低于57wt%的TiSi2-SiC体系都可以实现自蔓延反应;当氮气压力高于50MPa时,TiN和Si3N4不会发生分解;若要完全反应,反应过程中必然存在..............共60页

4、氮化硅及碳化硅陶瓷复合材料高温压缩变形行为的研究

采用放电等离子烧结(SPS)法制备了致密的BAS/Si3N4复合材料、SiAlON陶瓷和BAS/SiC复合材料,并在SPS设备中研究了以上材料的高温压缩变形行为,并讨论了压缩变形对材料组织与性能的影响规律。不同BAS含量的Si3N4复合陶瓷,约在1580℃时开始产生压缩变形,随着材料中所含BAS的量增多,能够在较低的温度下实现较快的压缩变形,最大压缩变形速率在10-3s-1量级。其中40wt%BAS/Si3N4材料1600℃最大应变速率能达到1.5×10-2s-1,已进入了超塑性变形的范畴。压缩后材料中的长棒状β-Si3N4晶粒沿垂直于外力方向的平面择优分布。不同稀土掺杂的5wt%BAS/RE-α-SiAlON陶瓷在1500℃时已开始产生压缩变形,到达1630℃后能产生最大应变速率,也在10-3s-1量级上。材料的变形能力与..............共66页

5、氮化硅陶瓷材料凝胶注模成型工艺的研究

以氮化硅材料为原料,从选择低毒性有机单体和确定同轴喷嘴工艺成型空心球两个方面系统研究了凝胶注模成型过程.该文用低毒性单体NMA代替了目前广泛应用的丙稀酰胺,从动力学角度探讨了低毒性单体NMA的聚合条件.利用正交实验研究了单体、交联剂和引发剂的用量以及温度和pH值对聚合反应的影响,结果表明NMA的最佳聚合条件为:单体用量为预混液质量的20%;引发剂浓度是影响聚合反应的关键因素;聚合温度及坯体干燥温度应控制在65℃以下;NMA无论在酸性条件下还是碱性条件下都可以发生聚合反应.通过级差分析,可以确定各影响因素的重要性程度及其排序,即D(温度)A(单体用量B(单体与交联剂用量比)=C(引发剂用量)=E(pH值).该文在喷雾干燥同轴喷嘴工艺和凝胶注模成型工艺的基础..............共42页

6、氮化硅陶瓷连接技术研究

以铝合金熔炼与铸造用的Si3N4/SiC陶瓷坩埚和Si3N4陶瓷升液管等大型复杂构件为对象,以提高可靠性、降低成形技术难度及制造成本为目标,对其连接技术进行了研究。针对Si3N4/SiC陶瓷,研究了一种空气气氛中的无压连接技术,设计了铝矾土一硼砂和碳化硅一磷酸铝两种焊料体系:针Si3N4陶瓷,研究了一种N2气氛中的无压反应烧结连接技术,设计了镁砂一铝矾土、硅粉、硅粉一镁砂一铝矾土、硅粉一高铝水泥和硅粉一粘土等五种焊料体系;系统研究了连接工艺、焊料成分、显微结构与连接性能之间的关系,探讨了连接机理。同时,对碳化硅一磷酸铝体系焊料与铝合金熔体之间的相互作用进行了研究。主要结论如下:(1)铝矾土-硼砂体系焊料可塑性差、易固化且与Si3N4/SiC陶瓷母材粘附性差..............共38页

7、多孔氮化硅陶瓷及其涂层材料的研究

利用Si3N4陶瓷优异的介电和机械性能,采用常压埋粉烧结工艺,以Yb2O3和Y2O3为烧结助剂,成功制备出性能优异的多孔氮化硅陶瓷材料,研究分析了烧结助剂和烧结温度对材料性能的影响。研究结果表明:在1690℃温度下烧结,Yb2O3添加量从3wt%增加到9wt%,陶瓷材料的密度、抗弯强度、断裂韧性和介电常数不断增大;当Yb2O3含量为9wt%时,密度为2.17g/cm3,抗弯强度为223.1MPa,断裂韧性为3.51MPa·m1/2,介电常数为4.17;当Yb2O3添加量从9wt%增加到12wt%,密度、抗弯强度和介电常数都有略微的下降,但断裂韧性增加到3.82MPa·m1/2。随着烧结温度的提高,添加不同量烧结助剂的材料的密度、抗弯强度、断裂韧性不断提高。在烧结温度1780℃时..............共52页

8、反应烧结氮化硅冷等静压成型工艺优化

本文研究了水份和粘结剂含量、装料工艺及压制工艺对硅粉成型性能的影响,针对热电偶保护套管、喷管、坩埚以及压头等四种典型构件进行了模具和工装研究,并且对反应烧结氮化硅陶瓷烧结工艺进行了研究.得出如下主要结论:(1)揭示了硅粉中聚乙烯醇溶液的加入量、造粒料中水份含量与粉量的流动性、填充密度、压缩比以及坯体的形状、强度之间的相关性.(2)装料的振动频率是影响硅粉填充和成型的一个关键因素.(3)成型压力是影响坯体性能的一个重要因素.(4)针对四种典型构件研究了冷等静压成型模具和工装设计.(5)根据氮化反应后应保证残余硅含量低并且避免..............共48页

9、反应烧结注浆氮化硅陶瓷材料的制备与性能研究

主要研究陶瓷坩埚,它是太阳能多晶硅铸锭过程中用来装载多晶硅原料的。目前生产上使用的石英陶瓷坩埚都有Si3N4涂层,试图直接制备出氮化硅陶瓷坩埚替代现有的石英陶瓷坩埚。实验采用注浆成形方法结合反应烧结方法,达到低成本制备复杂形状的氮化硅陶瓷材料的要求。主要研究内容和结果如下:采用Si粉为原料,添加分散剂、粘结剂、烧结助剂制备出高固相含量的硅基料浆。研究不同粒径、不同分散剂、不同pH值下,硅基料浆的流变性能,找出最佳工艺参数。实验中添加Si3N4和Y2O3,研究其含量对烧结体致密度、气孔率的影响,并测试分析烧结体的抗弯强度、热震稳定性及断裂韧性。通过对流变性能的研究发现:在碱性环境下,二号Si基(含Si3N4)料浆的流变性能最好,固相含量为60%、粘度最..............共66页

10、高性能氮化硅的制备及其性能研究

作为结构陶瓷,氮化硅陶瓷材料具有优良的耐磨、耐腐蚀、耐高温性能以及良好的抗热震性能,广泛应用于航空航天、机械、电子电力、化工等领域。采用适当的烧结助剂可有效提高氮化硅陶瓷材料的热导率,增加材料断裂韧性,促进材料性能完善。本文选择α-Si3N4为烧结原料,以CeO2为烧结助剂,在烧结温度为1800℃,烧结时间为1h,单轴压力为30MPa条件下热压烧结制备出不同烧结助剂含量的高致密氮化硅陶瓷材料。本文通过对所制备氮化硅陶瓷材料的物相分析、微观形貌分析的表征,研究烧结助剂含量变化对氮化硅陶瓷材料晶界相构成、相变率及晶粒尺寸的作用机理,通过对材料性能的系统测试考察烧结助剂含量对材料力学性能及热导率的影响规律。..............共60页

11、晶种掺杂氮化硅陶瓷的制备及性能研究

采用热压烧结法制备自增韧Si3N4陶瓷材料的全过程。晶种制备实验中,为探讨不同稀土添加剂对Si3N4的α-β相转变的影响,以α-Si3N4为原料,不同含量的Yb2O3、Nd2O3作为相变添加剂,分别在1600℃、1650℃、1700℃下预烧。用XRD和SEM分析其相组成和形貌,进而讨论Si3N4的α-β相变机理。结果表明添加4%Yb2O3,1700℃下预烧所得晶种最佳,晶粒直径约0.5μm,长径比多为4-5,少数可达十几的长柱状晶种。将这种加入α-Si3N4初始粉料中,并加入不同含量的Yb2O3作为烧结助剂,在1800℃、25Mpa热压烧结1小时得到自增韧氮化硅陶瓷。用三点弯曲法测量材料的强度和韧性。用这种方法制得的氮化硅与同种原料不加晶种制得的氮化硅相比,抗弯强度由948MPa提高到1006MP..............共56页

12、凝胶注模氮化硅基复合陶瓷的制备工艺与性能研究

以Si3N4、CaHPO4和AlPO4为原料,采用凝胶注模工艺制备了氮化硅基陶瓷,对高固相含量低粘度复合浆料的制备、坯体的干燥和脱脂等方面进行了研究。在此基础上,采用XRD、SEM和TEM等技术和三点弯曲、单边切口等方法,研究了材料组分、烧结温度和成型方法等对氮化硅陶瓷的显微组织结构、力学性能、热学性能、抗热震性和介电性能的影响规律。通过对CaHPO4/Si3N4和AlPO4/Si3N4复合浆料流变学性能的测量,研究了pH值、分散剂含量和球磨时间对氮化硅基复合浆料的影响规律,得到其最佳制备工艺参数为:在pH=7.5,分散剂含量为0.3wt%,球磨时间为18h、24h时,分别制备出固相含量约为40vol.%的CaHPO4/Si3N4和AlPO4/Si3N4复合浆料。湿坯在20h内有快速失重和收缩的现象..............共62页

13、燃烧合成工艺制备氮化硅粉体及相组成影响因素的研究

氮化硅陶瓷是一种新型的高温结构陶瓷,由于它具有优异的性能而在一些新的技术领域中得到高度重视,并对其进行了研究、开发和应用.而氮化硅粉末是氮化硅陶瓷制品的原料,其质量优劣直接影响氮化硅陶瓷的性能.因此本文通过改变宏观因素来探讨它们对燃烧产物相组成的影响及影响机理,这对于氮化硅粉末的制备有着重要的理论意义和实际意义.本文结合x-衍射实验结果,运用"归一法"定量计算氮化硅粉末相组成,并探讨了原料中添加剂(NH4Cl)含量、稀释剂(Si3N4)含量、初始硅粉粒度和反应压力等因素对燃烧合成氮化硅粉末的相组成的影响.本文最后还讨论了稀释剂(Si3N4)和硅粉粒度对燃烧产物晶体粒度的影响,即稀释剂(Si3N4)含量增多,晶体的粒度越大;原料的粒度的减小,晶体的粒度越小...............共70页

14、碳纳米管增韧氮化硅陶瓷的研究

详细介绍了氮化硅陶瓷的结构、性能、制备方法及增韧机理,同时介绍了碳纳米管的发现及其力学性能.目前研究陶瓷材料的核心课题是补强增韧,而纤维增韧是目前补强增韧方法中效果最为显著的方法,它在提高材料韧性的同时,在大多数情况下还能提高材料的强度.该文就是利用碳纳米管优良的力学性能,在对其预处理后,将其添加到氮化硅陶瓷粉末中,经球磨、干燥、过筛后,采用热压烧结工艺,制备氮化硅陶瓷,以期改善氮化硅陶瓷的韧性.对所制备的试样进行了密度、硬度、断裂韧性、X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的测试.实验结果表明:在未加碳纳米管时,烧结体的力学性能随烧结温度的升高而升高,在1700℃烧结温度时,相对密度达99.7%硬度达到15.49GPa,断裂韧性达到7.16..............共56页

15、天线罩用氮化硅陶瓷材料烧结工艺的研究

研究了多种烧结助剂对氮化硅烧结性能和烧结过程的影响。研究表明,多组分助剂比单一组分助剂对氮化硅的助烧效果好,MgO-Al2O3-SiO2体系比较受重视。同时采用了在系统中引入纳米粉体来降低烧结温度的机制。而含有纳米粉体参与的烧结和传统的固相烧结有很大的区别。纳米粉体的引入同样带来了颗粒的级配问题。分析了温度、气氛种类等各个因素对氮化硅材料烧结过程的影响。为促进氮化硅的烧结,提高烧结性能,而不影响介电性能和热性能,以堇青石和β-锂辉石为烧结助剂加入到体系中,在高温的时候形成液相,通过液相烧结的方式将氮化硅烧结。研究了烧结气氛、温度、烧结助剂的改变对烧结性能的影响。建立了纳米氮化硅粉、微米氮化硅、堇青石烧结助剂、β-锂辉石烧结助剂..............共47页

16、无氧溶胶-凝胶反应合成结构可控SiCN陶瓷

碳氮化硅陶瓷(SiCN)以其耐高温、耐热冲击、低膨胀系数、抗氧化、抗化学腐蚀和半导体性等优异性能,在高温领域、传感器、光电子器件、能源等高技术领域有重要的应用前景。德国学者上世纪90年代开始报导采用聚硅烷交联-成型-热解可制备SiCN致密体陶瓷,其后发现采用双(三甲基硅基)碳化二亚酰胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]与氯硅烷反应可形成SiCN凝胶,即无氧溶胶凝胶反应,这意味着可仿效众所周知的有氧溶胶凝胶过程制备各种结构的SiCN陶瓷,为液相合成这一高性能陶瓷开辟了新途径。但先前学者均采用单一氯硅烷与BTSC进行凝胶反应,经热解没能获得三维SiCN陶瓷。针对此问题,本工作采用高交联活性的乙烯基三氯硅烷和BTSC反应,经热解成功地合成出致密SiCN陶瓷体,进而采..............共52页

17、注浆成型制备高性能氮化硅陶瓷技术研究

以高性能陶瓷研磨罐用氮化硅材料为研究对象,从工艺设计的角度研究料浆制备、毛坯干燥、脱胶以及烧结的问题,寻求一条适合易于溶剂反应的非氧化物,尤其适用于气压烧结氮化硅陶瓷材料制备的注浆成型的技术路线,并对其中机理性的问题深入探讨与分析。本文首先研究了氮化硅粉体煅烧预处理使粉体颗粒表面化学键变化情况,而后对氮化硅粉体煅烧预处理和烧结助剂包覆制备的料浆的固相含量、PH值、Zeta电位、流变特性以及对分散剂吸附量等一系列参数进行设计,提高氮化硅料浆的稳定性和悬浮性,进而制备高强度的坯体,最后通过合理的干燥、脱胶工艺,烧结制备相对密度的氮化硅试样棒。分析了氮化硅粉体表面基团在水中的分解反应,分析结果表明,氮化硅粉体颗粒表面多..............共55页

18、自蔓燃氮化硅陶瓷的烧结技术研究

采用硅粉和氮气为原料,采用自蔓燃高温合成方法制备氮化硅粉体,选择自制的氮化硅粉体为稀释剂,NH4Cl为添加剂,通过调节硅粉的粒度和初始氮气的压力来研究自蔓燃合成氮化硅粉体的影响因素。将自蔓燃合成的粉体烧制陶瓷与硅粉氮化粉体烧制的陶瓷进行了比较研究。通过X射线物相分析、透射电镜手段分析等研究了自蔓燃合成的氮化硅粉体和陶瓷的性能。研究表明分析结果表明:当燃烧温度升高时,粉体的β相含量、粉体粒度、氮含量随之升高,氧含量降低;游离硅含量与燃烧温度关系影响不大,主要由反应物料的厚度决定,由表层到底部游离硅含量逐步升高。通过X射线分析计算可以得出:稀释剂氮化硅粉体中有一部分α相转化为β相;选用粒度较粗的硅粉合成的氮化硅粉体,反应期间..............共60页

19、00116803.7 自蔓延高温合成氮化硅铁粉末的制备方法 1-8
20、00129948.4 碳化硅晶须强韧化氮化硅基陶瓷轧辊材料的制造方法 1-11
21、00805123.2 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料 1-14
22、01113058. 一种提高氮化硅基陶瓷性能 价格比的方法 1-9
23、01120413.3 氮化硅只读存储器的制造方法 1-14
24、01121735.9 氮化硅陶瓷及其制备工艺 1-15
25、01126400.4 自蔓延高温合成制备β-氮化硅晶须的方法 1-8
26、01129597. 氮化硅只读存储器的制造方法 1-11
27、01134769.4 基底 氧化硅 氮化硅 氧化硅 硅组件的制造方法 1-16
28、01134770.8 氮化硅只读存储器组件的制造方法 1-18
29、01134771.6 防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构 1-15
30、01136188.3 氮化硅只读存储器的结构与制造方法 1-16
31、01136305.3 纳米级氮化硅复合材料发热体及制作工艺 1-8
32、01137963.4 氮化硅粉、其烧结体、基板、及由此的电路板和热电元件模块 1-44
33、01138794.7 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜 1-5
34、01139801.9 一种氮化硅水基浓悬浮体的制备方法 1-7
35、01141572. P型信道氮化硅只读存储器的擦除方法 1-9
36、01143416.3 氮化硅内存的制造方法 1-18
37、01143842.8 利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法 1-14
38、01814050.5 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺 1-36
39、02100183.9 一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法 1-6
40、02100195.2 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法 1-6
41、02101551.1 在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 1-9
42、02105961.6 P型氮化硅只读存储器器件的初始化方法 1-10
43、02106073.8 利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法 1-13
44、02107448.8 具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法 1-17
45、02116110.0 降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法 1-13
46、02118038.5 氮化硅只读存储器的制造方法 1-16
47、02118173. 除去氮化硅膜的方法 1-25
48、02119316.9 密封氮化硅过滤器的方法和密封组合物 1-13
49、02122345.9 超薄氮化硅 氧化硅栅极介电层的制造方法 1-11
50、02122887.6 氮化硅存储器件及其制造方法 1-22
51、02123440. 等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统 1-8
52、02124784.6 导电性氮化硅复合烧结体及其制备方法 1-10
53、02128250.1 氮化硅只读存储元件的操作方法 1-11
54、02138262. 制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置 1-7
55、02138263.8 制备纳米氮化硅粉体的系统 1-16
56、02140799.1 氮化硅只读存储器的制造方法 1-13
57、02142191.9 降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法 1-14
58、02142892.1 定义氧化硅 氮化硅 氧化硅介电层的方法 1-17
59、02149394.4 制造氮化硅只读存储器的方法 1-12
60、02150906.9 一种纳米级氮化钛-氮化硅复合材料的制备方法 1-11
61、02153390.3 等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺 1-9
62、02158676.4 氮化硅只读存储器及其制造方法 1-26
63、02158760.4 低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备 1-6
64、02159060.5 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法 1-12
65、02801325.5 氮化硅基复合烧结体及其生产方法 1-28
66、02802876.7 多孔氮化硅陶瓷及其生产方法 1-17
67、02814985.8 氮化硅耐磨部件及其制造方法 1-25
68、02823659.9 用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法 1-18
69、03121837.7 氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置 1-13
70、03123582.4 一种用于炼铁高炉的氮化硅刚玉质浇注耐火材料 1-7
71、03123816.5 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法 1-47
72、03130644.6 制造具有氧化硅 氮化硅 氧化硅层的半导体组件的方法 1-16
73、03131388.4 移除氮化硅层的方法 1-12
74、03131407.4 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法 1-13
75、03137265.1 制造氮化硅只读存储器的方法 1-14
76、03140387.5 一种提高氮化硅陶瓷抗氧化性能的表面改性方法 1-9
77、03140810.9 氮化硅只读存储器及其制造方法 1-30
78、03146353.3 增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法 1-17
79、03149961.9 一种氮化硅燃烧合成过程中增压调控的生产方法 1-8
80、03152915.1 氮化硅和碳化硅一维纳米结构及其制备方法 1-16
81、03801959.0 包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法 1-13
82、03819485.6 氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法 1-6
83、03821675.2 用于电致发光显示器的氧氮化硅钝化的稀土激活硫代铝酸盐磷光体 1-21
84、03822854.8 由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法 1-22
85、03825466.2 氮化硅电荷捕获存储器件 1-21
86、03825798. 氧化硅和氧氮化硅的低温沉积 1-14
87、95100662.2 一种生产高强度氮化硅结合碳化硅制品的方法 1-4
88、95103931.8 半石墨化碳氮化硅材料及其生产方法 1-6
89、95118717.1 氮化硅烧结体的制造方法 1-21
90、95190842.1 氮化硅陶瓷及其成型工艺 1-18
91、95191835.4 氮化硅烧结体及其制造方法 1-23
92、95192160.6 具有高疲劳寿命的氮化硅轴承球 1-8
93、96109404.4 氮化硅的自研磨 1-6
94、96112261.7 氮化硅多孔体及其制造方法 1-36
95、96114418.1 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件 1-25
96、96114533.1 氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺 1-16
97、96121115.6 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件 1-20
98、96190008.3 氮化硅电路板 1-70
99、96190066.0 高导热性氮化硅烧结体、其制造方法和压接结构体 1-48
100、97102107.4 高强度氮化硅多孔体及其制造方法 1-26
101、97105976.4 纳米碳化硅-氮化硅复相陶瓷及其制备方法 1-7
102、97119087.9 氮化硅材料固相有机前驱体除氧增强的方法 1-5
103、97121645.2 一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备 1-8
104、98106228.8 去除氮化硅保护层针孔的方法 1-8
105、98107059.0 具至少一种氮化硅或氧氮化硅基薄层的透明基体及其制法 1-19
106、98117966.5 酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 1-4
107、98117969. 碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺 1-4
108、98121726.5 添加氧化镁及稀土氧化物的烧结氮化硅陶瓷 1-6
109、98123154.3 氮化硅电梯安全制动器 1-8
110、98124902.7 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法 1-17
111、98808408.2 制造氧氮化硅的方法 1-6
112、99107783.0 一种超高韧性氮化硅基复合材料的制备方法 1-9
113、99108459.4 使用二(叔丁基氨基)硅烷淀积二氧化硅和氧氮化硅 1-17
114、99109605.3 超细氮化硅微粉气相合成新工艺 1-6
115、99110641.5 金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层 1-23
116、99113429. 氮化硅车用电热杯 1-5
117、99113534.2 氮化硅发热体及其制造方法 1-5
118、99806182.4 氮化硅用作医用生物材料的组合物、生产和应用 1-13
119、200310108838.4 双终点检测控制STI CMP工艺氮化硅厚度稳定性的方法 1-7
120、200310108840.1 一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法 1-7
121、200310109459.7 解决湿法剥离氮化硅薄膜新的清洗溶液 1-9
122、200310113597.2 一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料 1-5
123、200310115047.4 一种含氮化硅铁的Al 2O3 -SiC-C体系无水炮泥 1-5
124、200380107849.9 形成高质量的低温氮化硅层的方法和设备 1-31
125、200380108258.3 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备 1-29
126、200410009076.7 控温燃烧合成α相氮化硅粉体的方法 1-9
127、200410009294.0 胶态成型制备氮化硅耐磨陶瓷的优化设计方法 1-6
128、200410009794.4 用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法 1-7
129、200410011800. 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统 1-11
130、200410014284.6 玻璃包覆热等静压制备高性能氮化硅陶瓷 1-5
131、200410016198.9 自蔓延高温合成氮化硅镁粉体的制备方法 1-10
132、200410016325.5 由硅化镁燃烧合成氮化硅镁粉体的制备方法 1-8
133、200410017913.0 以氮化硅镁作为生长助剂燃烧合成制备β-氮化硅棒晶 1-10
134、200410023753.0 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法 1-5
135、200410023952.1 氮化硅-氮化硼-二氧化硅陶瓷透波材料及其制备方法 1-9
136、200410029809.3 控温活化自蔓延燃烧合成α相氮化硅粉体的方法 1-9
137、200410030786.8 铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法 1-11
138、200410037807.9 一种造粒燃烧合成氮化硅的生产方法 1-7
139、200410037963.5 高热导率、高强度氮化硅陶瓷制造方法 1-7
140、200410039170.7 常压燃烧合成氮化硅粉体的方法 1-14
141、200410042967.2 氮化硅层的形成方法 1-11
142、200410043962.1 钎焊氮化硅陶瓷的钎料及以该钎料连接氮化硅陶瓷的方法 1-7
143、200410052139.7 带有氮化硅陶瓷叶轮、导叶的注水泵及其制作方法 1-11
144、200410061738.5 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法 1-32
145、200410066298.2 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法 1-10
146、200410069964.8 氮化硅质蜂窝式过滤器及其制造方法 1-9
147、200410069982.6 氮化硅质过滤器的制造方法 1-10
148、200410073163.9 一种氮化硅 碳化硅多孔陶瓷的制备方法 1-13
149、200410073763.5 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法 1-11
150、200410085537.9 处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法 1-13
151、200410088856.5 高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法 1-17
152、200410096391.8 用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法 1-10
153、200480005652.9 利用具有氨的超低压快速热退火调节氧氮化硅的氮分布曲线 1-25
154、200480024471.0 氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件 1-36
155、200480025263.2 形成含氘化氮化硅的材料的方法 1-20
156、200480025836.1 氮化硅结合SiC耐火材料及其制造方法 1-14
157、200480027732.4 氮化硅耐磨部件及其制造方法 1-28
158、200480038017.0 形成高质量低温氮化硅层的方法和设备 1-30
159、200480040845.8 氮化硅的热化学气相沉积 1-29
160、200480041206.3 在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法 1-30
161、200510011255.9 一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法 1-9
162、200510012774.7 一种珠状碳化硅或氮化硅纳米链的制备方法 1-6
163、200510019277. 一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法 1-7
164、200510023368.0 以氮化硅镁为烧结助剂的高热导氮化硅陶瓷的制备方法 1-9
165、200510023369.5 一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法 1-9
166、200510025454.5 一种氮化硅膜的生长方法 1-8
167、200510032438.9 一种氮化硅铁的微波合成方法 1-5
168、200510034046.6 氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法 1-9
169、200510041292.4 氮化硅陶瓷细长工件的生产工艺技术 1-8
170、200510044249.3 一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法 1-5
171、200510045575.6 一种β-氮化硅粉体材料的一步反应低温制备方法 1-7
172、200510050000.3 晶界相中添加纳米氮化硅提高钕铁硼工作温度和耐蚀性方法 1-10
173、200510051754.0 氮化硅膜的制造方法 1-12
174、200510052407. 化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物与方法 1-10
175、200510055457.3 氮化硅薄膜及其制造方法 1-23
176、200510066834.3 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法 1-33
177、200510070891.9 反应烧结氮化硅粉技术 1-5
178、200510070892.3 高纯氮化硅超细粉磨技术 1-4
179、200510078059.3 氮化硅只读存储单元的位的读取方法 1-8
180、200510083340.6 制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法 1-26
181、200510085294.3 基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法 1-7
182、200510085369.8 一种具有高抗氧化性能的氮化硅陶瓷及其制备方法 1-8
183、200510086488.5 一种超薄氮化硅 二氧化硅叠层栅介质的制备方法 1-12
184、200510086688.0 一种自增韧氮化硅陶瓷导卫辊及其制备方法 1-6
185、200510087160.5 氮化硅膜形成方法及装置 1-25
186、200510088470.9 化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 1-11
187、200510096415.4 一种自增韧氮化硅陶瓷线材精轧辊材料及其制备方法 1-12
188、200510097482.8 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法 1-23
189、200510100306.5 交直流两用节能防静电恒温氮化硅电烙铁 1-11
190、200510107199.9 氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法 1-13
191、200510110236.1 一种去除硅片背面氮化硅的方法 1-7
192、200510113716.3 氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法 1-19
193、200510116191.9 用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 1-16
194、200510116578.4 采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅 1-18
195、200510120731.0 采用纳米碳管模板法制备氮化硅纳米丝的方法 1-5
196、200510123878.5 氮化硅锰铁合金 1-5
197、200510126334.4 利用流化床技术常压连续合成氮化硅粉末的方法 1-13
198、200510130673. 一种中空式环状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法 1-11
199、200510130678.2 一种层状布料燃烧合成均质氮化硅粉体的方法 1-13
200、200510138148.2 化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法 1-19
201、200580000816.3 具有高导热性的氮化硅烧结体及氮化硅结构部件 1-27
202、200580003451. 应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法 1-46
203、200580024380.1 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法 1-23
204、200580024991.6 具有控制应力的氮化硅膜 1-41
205、200580027656.1 制备氮化硅膜的方法 1-10
206、200580040887.6 用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法 1-17
207、200580040943.6 基于碳化硅与氮化硅粘合剂的烧结耐火砖 1-14
208、200580046197.1 用于二氧化硅和氮化硅层的蚀刻的可印刷介质 1-32
209、200610001186.8 具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底 1-24
210、200610011114.1 一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法 1-9
211、200610011115.6 一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法 1-5
212、200610012251.7 化学激励燃烧合成氮化硅 碳化硅复合粉体的方法 1-9
213、200610017945. 新型半石墨化碳氮化硅砖及其制造方法 1-10
214、200610018178.4 一种磷酸作为添加剂的氮化硅多孔陶瓷材料的制备方法 1-6
215、200610022182.8 立方氮化硅材料的冲击波合成方法及合成装置 1-7
216、200610024146.5 高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 1-14
217、200610024154. 一种高热导氮化硅陶瓷的制备方法 1-8
218、200610025537.9 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法 1-9
219、200610027447.3 原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法 1-8
220、200610029618.6 去除硅片背面氮化硅膜的方法 1-8
221、200610030049.7 一种氮化硅 氮化钛纳米复合材料的制备方法 1-8
222、200610033127.9 一种纳米氮化硅抛光组合物及其制备方法 1-6
223、200610037581.1 氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法 1-15
224、200610041867.7 一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法 1-11
225、200610043941.9 氮化硅陶瓷粉末的生产方法 1-6
226、200610048297.4 一种氮化硅纳米材料的制备方法 1-9
227、200610062988. 氮化硅陶瓷发热体的微波炉烧结制备方法及专用设备 1-10
228、200610066216.3 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法 1-21
229、200610070747. 高强度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制备方法 1-10
230、200610087295.6 具有氮化硅-氧化硅介电层的非挥发性记忆元件 1-16
231、200610088995.7 快速制备高强度氮化硅-氮化硼可加工陶瓷的方法 1-11
232、200610117465.0 高精度圆形长棒氮化硅陶瓷制造方法 1-9
233、200610118810.2 测量氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层电学厚度的方法 1-14
234、200610125178.4 一种氮化硅非水基流延浆料及其制备方法 1-8
235、200610128843.5 每单元二位与非门氮化硅陷获存储器 1-30
236、200610129538.8 氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽的方法 1-3
237、200610134117.4 一种热等静压氮化硅全陶瓷电主轴及其制造方法 1-10
238、200610134118.9 一种无内圈式热等静压氮化硅全陶瓷球轴承及其制造方法 1-11
239、200610137101.9 含有氮化硅的耐久性硬质涂层 1-13
240、200610140931.7 用于制备氮化硅间隔物结构的方法 1-16
241、200610149888.0 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法 1-22
242、200610150781.8 制备氮化硅叠层的方法 1-19
243、200610155066.3 流化床直接制取氮化硅的装置及其方法 1-8
244、200610156527.9 荧光氮化硅基纳米线及其制备方法 1-11
245、200610161406.3 氮化硅点火器 1-5
246、200680006657.2 形成用于CMOS器件的自对准的双氮化硅衬垫的方法 1-28
247、200680008429.9 具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法 1-30
248、200680010740.7 低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法 1-18
249、200680014625.7 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法 1-103
250、200680014729.8 通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法 1-102
251、200680020874.7 氮化硅的化学气相沉积方法 1-23
252、200680025884. 用于二氧化硅和氮化硅层的可印刷蚀刻介质 1-27
253、200680031921.8 碳氮化硅酸盐发光物质 1-16
254、200680032665.4 用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶 1-23
255、200680037090.5 掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置 1-37
256、200680054461.0 通过化学汽相淀积使氮化硅膜和 或氧氮化硅膜淀积的方法 1-21
257、200680055457.6 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法 1-1
258、200680055512.1 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法 1-1
259、200710014442.1 G3级氮化硅球加工工艺 1-8
260、200710015087. 氮化硅陶瓷连杆衬套及其制备方法 1-11
261、200710016229.4 利用溶剂热反应低温合成氮化硅纳米材料的方法 1-10
262、200710018518.8 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法 1-21
263、200710024563.4 一种改性纳米氮化硅粉体及其制备方法和用途 1-9
264、200710046213.8 氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法 1-16
265、200710046302.2 去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法 1-18
266、200710046494.7 制备氮化硅的方法 1-14
267、200710048600.5 含立方氮化硅粉体的陶瓷及其制备方法 1-15
268、200710053286. 含有α-氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料及其制备方法 1-8
269、200710057495.1 无氧溶胶-凝胶反应制备多孔碳氮化硅的方法 1-6
270、200710057496.6 无氧溶胶-凝胶反应制备致密碳氮化硅陶瓷的方法 1-6
271、200710063114.0 以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法 1-10
272、200710070442.3 氮化硅涂层钢领及其制备方法 1-6
273、200710072312.3 氮化硅基复合材料燃烧合成方法 1-10
274、200710077257.7 制备氮化硅陶瓷发热体的凝胶注模成型工艺方法 1-11
275、200710087292.7 用于氮化硅陶瓷及氮化硅陶瓷基复合材料钎焊的高温钎料 1-11
276、200710087714.0 用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 1-15
277、200710094355.1 氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法 1-7
278、200710098996.4 逆反应烧结制备氮化硅碳化硅复合材料的方法 1-6
279、200710101779.6 在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法 1-17
280、200710109894.8 具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 1-16
281、200710111653.7 一种高强度、高韧性的氮化硅陶瓷液相烧结法 1-5
282、200710113022.9 一种利用硫辅助反应低温制备氮化硅纳米棒的方法 1-10
283、200710114558.2 自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法 1-11
284、200710114560. 自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法 1-16
285、200710119160.8 高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 1-12
286、200710119615.6 一种制备螺旋状氮化硅陶瓷晶须的方法 1-12
287、200710126049.1 通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法 1-14
288、200710135811.2 控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法 1-15
289、200710144953.5 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法 1-6
290、200710144954. 一种泡沫氮化硅陶瓷的制备方法 1-6
291、200710156483.4 一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法 1-7
292、200710161802.0 氮化硅间隙填充层及其形成方法 1-21
293、200710164825.7 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法 1-6
294、200710170549.5 根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法 1-9
295、200710171575. 可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法 1-10
296、200710177460.1 一种方镁石氮化硅复合耐火制品及制备方法 1-4
297、200710180756.9 氮化硅只读存储器及其字线的制造方法 1-21
298、200710193011.6 刚玉-氮化硅-碳化硅复合浇注料 1-8
299、200710199220.1 纳米氮化硅 环氧基硅烷 氰酸酯树脂复合材料及其制备方法 1-6
300、200710199221.6 纳米氮化硅 双马来酰亚胺树脂 氰酸酯树脂复合材料及其制备方法 1-8
301、200710304869.5 一种生产氮化硅系合金的新方法 1-5
302、200710306176. 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物 1-27
303、200780006548.5 用于抛光氮化硅的组合物及方法 1-17
304、200780007656.4 用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法 1-12
305、200780026767. 用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 1-17
306、200780029146.7 氮化硅酸盐类荧光材料和具有这类荧光材料的光源 1-41
307、200810012080.7 氮化锆-氮化硅复合粉体的制备方法 1-6
308、200810013195.8 一种氮化硅纳米粉末合成方法 1-7
309、200810014017.7 氮化硅纳米材料的低温固相反应制备 1-9
310、200810015133.0 碘辅助低温制备氮化硅纳米材料的方法 1-9
311、200810015630.0 一种低温制备氮化硅粉体材料的方法 1-8
312、200810015862.6 高α-Si3 N4相氮化硅制备方法 1-7
313、200810017782.4 一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法 1-9
314、200810020345.8 一种氮化硅透波材料的制备方法 1-6
315、200810023748.8 带熄火保护功能的氮化硅点火器 1-5
316、200810025357. 平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统 1-9
317、200810031670.4 一种氮化硅复合陶瓷发热体 1-4
318、200810033052.3 一种可降低漏电流的氮化硅制作方法 1-11
319、200810037676.2 去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法 1-7
320、200810061233.7 一种碳氮化硅薄膜的制备方法 1-6
321、200810062734.7 一种适合氮化硅晶须生长的方法 1-6
322、200810063927.4 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法 1-6
323、200810063928.9 一种氮化硅纳米线的制备方法 1-7
324、200810064249.3 钎焊氮化硅陶瓷的钎料及钎焊氮化硅陶瓷的方法 1-8
325、200810064326.5 一种氮化硅陶瓷颗粒增强铝基复合材料及其制备方法 1-5
326、200810073414.1 一种透明β-氮化硅陶瓷及其制备方法 1-6
327、200810099859.7 氮化硅膜的干刻蚀方法 1-15
328、200810105905. 氮化硅薄膜及MIM电容的形成方法 1-24
329、200810108893.6 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法 1-46
330、200810116673.8 一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法 1-15
331、200810117602. 一种导电氮化钛 氮化硅纳米复合材料的制备方法 1-15
332、200810131133.7 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法 1-20
333、200810150370.8 多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法 1-6
334、200810151191.6 氮化硅 氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法 1-7
335、200810197040.4 亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法 1-9
336、200810209685.5 一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法 1-7
337、200810224676.3 氮化硅湿法腐蚀方法 1-13
338、200810232098.8 一种基于碳热还原制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法 1-9
339、200810232099.2 一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法 1-8
340、200810243655.6 低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置 1-7
341、200810243657.5 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法 1-10
342、200810249513.0 自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法 1-15
343、200880002544.4 用于半导体器件的多层氮化硅沉积 1-24
344、2009100144609 氮化硅基纳米复合梯度功能陶瓷刀具材料及其制备方法 1-5
345、2009100144628 原位生长碳氮化钛系晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺 1-4
346、2009100152361 氮化硅陶瓷的制备方法 1-6
347、2009100152573 一种氮化硼晶须 氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法 1-5
348、2009100157581 氮化硼纳米管增强的氮化硅陶瓷及其制备方法 1-6
349、2009100215159 一种利用凝胶注模法制备氮化硅多孔陶瓷的方法 1-15
350、2009100241454 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法 1-8
351、2009100447781 一种自增韧氮化硅陶瓷微波固相合成制备方法 1-8
352、200910055161 采用玻璃包封热等静压工艺制备氮化硅陶瓷球的方法 1-7
353、2009100716985 多孔氮化硅 氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法 1-9
354、2009100772858 用于连接氮化硅陶瓷的组合物及方法 1-8
355、2009100772862 一种氮化硅陶瓷材料在陶瓷轴承球制备中的应用 1-7
356、2009100772877 一种高可靠性大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-7
357、2009100849879 一种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法 1-6
358、2009101127850 一种纳米氮化硅和氮化硼增强的碳氮化钛基金属陶瓷材料 1-9
359、2009101143425 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 1-6
360、2009101500988 一种低介电常数、高强度多孔氮化硅透波陶瓷的制备方法 1-8
361、2009101808433 一种氮化铝 碳化硅 钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法 1-5
362、2009102193328 可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 1-10
363、2009102276265 一种复相氮化物结合碳化硅泡沫陶瓷过滤器及其制备方法 1-7
364、2009102450863 含金属硅粉的氮化硅陶瓷材料凝胶注模成型方法 1-10
365、2009103063938 一种氧氮化硅结合碳化硅高温陶瓷材料及其制备方法 1-8
366、2010101450125 高性能氧化钇氮化硅陶瓷的生产方法 1-4
367、2010101450178 氮化硅中添加氧化铈的陶瓷的生产方法 1-4
368、2010101663992 一种氮化硅陶瓷刀片的制备方法 1-6
369、2010101891772 高孔隙率磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法 1-8
370、2010101961703 氮化硼纳米管增强的二氧化硅陶瓷的制备方法 1-8
371、2010102263944 氮化硼纳米管强韧化氮化硅陶瓷材料及其制备方法 1-11
372、2010102305735 一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法 1-5
373、2010105129951 一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法 1-7
374、2010105165661 一种制备氮化硅结合碳化硅复合陶瓷的胶态成型工艺方法 1-7
375、2010105496912 一种高α相氮化硅陶瓷轴承球的制备方法 1-5
376、2010105538012 不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件 1-8
377、2010105656911 不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件 1-7
378、2010105790450 适用于氮化硅陶瓷或轴承钢摩擦副的润滑油及其制备方法 1-4
379、2010105881197 氮化硅掺杂氧化钬陶瓷的制备方法 1-4
380、2010106009459 高性能氯化镝复合氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
381、2010106009711 一种稀土镨钬稳定氮化硅陶瓷的生产工艺 1-4
382、2010106009745 氮化硅添加微量铒铈的高性能陶瓷制备方法 1-4
383、2010106009995 氧化铒钇稳定氮化硅纳米陶瓷粉体的制备方法 1-4
384、2010106010418 氧化镝氧化铥复合氮化硅陶瓷制备方法 1-4
385、2010106010460 一种高性能氧化钇复合氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
386、2010106010583 一种高耐磨的氯化镧复合氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
387、2010106013863 一种耐压钕铥氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
388、201010620784 氧化铈复合氮化硅特种陶瓷的制备方法 1-4
389、2010106207892 一种纳米氧化铈氧化钐复合氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
390、2010106208062 一种纳米氧化钇氧化钪复合氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
391、2010106208490 一种纳米氧化铒氧化镨复合氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
392、2010106208560 微量氧化钕添加的复合氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
393、2010106208575 一种纳米氧化铥氧化镧复合氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
394、2010106208607 一种高硬度氧化钐复合氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
395、2010106208838 无压烧结钐镨混合稳定氮化硅陶瓷的方法 1-4
396、2010106209046 一种纳米氧化钕氧化镨复合氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
397、2010800011487 氮化硅基复合陶瓷及其制造方法 1-10
398、2011100055937 氮化硅质泡沫陶瓷及其制备方法 1-6
399、2011100055956 低介电常数氮化硅陶瓷材料及其制备方法 1-6
400、2011100059410 氮化硼纤维织物增强氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-5
401、2011101118045 制备基于氮化硅和β-锂霞石陶瓷复合材料的方法 1-10
402、201110118695 氮化硅添加氧化镨的复合陶瓷制备方法 1-4
403、2011101186998 稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺 1-4
404、2011101187083 铒钕掺杂纳米氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-4
405、2011101201127 一种气压烧结氮化硅陶瓷的方法 1-4
406、2011101539792 常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 1-5
407、2011101874254 具有多级孔径结构的高孔隙率氮化硅多孔陶瓷的制备方法 1-11
408、2011102112385 用于制造硬密封球阀阀球的氮化硅基固溶相复合陶瓷材料及利用该材料制作阀球的方法 1-5
409、2011102131564 热加工用氮化硅基金属陶瓷模具材料及其制备方法与应用 1-5
410、2011102471693 一种制备多孔氮化硅陶瓷材料的方法 1-9
411、2011103540351 含碳化硼和氮化硅的熔融石英陶瓷材料的制备方法 1-5
412、2011103617103 原位生长碳氮化钛晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备工艺 1-4
413、2011103663402 多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 1-9
414、201110412217 一种基于软质磨料固着磨具的氮化硅陶瓷球研磨方法 1-9
415、2011104354302 一种IMC氮化硅陶瓷基复合刹车片的制作方法 1-5
416、201200161142 一种氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备方法 1-5
417、2012100645731 一种复相氮化硅陶瓷及其制作方法 1-4
418、2012101193727 车用氮化硅陶瓷预热塞的制备方法 1-6
419、2012101747427 一种批量生产氮化硅陶瓷的凝胶注模成型工艺 1-4
420、2012102006268 一种挤压成型制备氮化硅蜂窝陶瓷的方法 1-4
421、201210221971 一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法 1-9
422、201210230893 一种硅硼氧氮纤维 氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法 1-7
423、2012102411080 一种氮化硅陶瓷球的制备方法 1-6
424、2012103039714 一种氮化硅陶瓷金属化材料及其应用 1-5
425、2012103647777 机械密封用氮化硅陶瓷粉体的喷雾干燥造粒方法 1-8
426、2012104418417 一种制备自增韧氮化硅陶瓷的方法 1-12
427、2012104418421 一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法 1-10
428、2012104797080 一种碳化锆-碳化硅-氮化硅超高温陶瓷复合材料及其制备方法 1-6
429、201210488170 一种立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷材料的制备方法及其产品 1-4
430、2012104961526 一种氮化硅陶瓷 1-5
431、2012104961564 一种氮化硅陶瓷球的制备方法 1-6
432、2012104961600 一种氮化硅陶瓷球 1-6
433、2012104961831 一种氮化硅陶瓷球的研磨方法 1-5
434、2012104961865 一种氮化硅陶瓷研磨试剂盒 1-5
435、2012104962181 一种氮化硅陶瓷球轴承的生产工艺 1-7
436、2012104963165 一种氮化硅陶瓷球轴承滚动体的生产工艺 1-6
437、2012104963860 一种氮化硅陶瓷球轴承套圈的生产工艺 1-6
438、2012104966271 一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法 1-4
439、2012104966290 一种氮化硅增韧陶瓷 1-5
440、2012104966375 一种氮化硅增韧陶瓷球的制备方法 1-5
441、201210496638 一种氮化硅增韧陶瓷球 1-5
442、2012104991983 一种氮化硅陶瓷的制备方法 1-5
443、2012104993160 一种氮化硅增韧陶瓷球轴承滚动体的生产工艺 1-6
444、2012105005996 一种用于多极镁电解技术中的氮化硅陶瓷绝缘材料 1-9
445、2012105271443 一种氮化硅复合陶瓷发热体材料及其制备方法 1-8
446、2012105365652 一种多孔氮化硅复合陶瓷的制备方法 1-11
447、2012105966103 防结垢氮化硅陶瓷电热板及制作方法 1-6
448、2013100008333 一种具有高强度高抗氧化性能的氮化硅复合陶瓷材料 1-5
449、2013100045578 一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法 1-7
450、2013100301485 一种反应烧结氮化硅-氮化硼复相陶瓷的快速氮化制备方法 1-7
451、2013100318734 一种碳酸氢铵发泡法制备多孔氮化硅陶瓷的方法 1-8
452、2013100776183 一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法 1-10
453、2013101299872 一种制备高热导率、高强度氮化硅陶瓷的方法 1-7
454、2013101396868 晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法 1-8
455、2013101572624 一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法 1-8
456、2013101780701 利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法 1-13
457、2013101781051 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 1-11
458、2013102415724 一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法 1-4
459、2013103046638 一种氮化硅陶瓷构件表面氧化物去除方法 1-4
460、201310309065 一种二维纤维布增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法 1-5
461、2013103091065 一种立体织物增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法 1-5
462、201310309107 一种碳化硅晶须增强氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法 1-5
463、2013103091084 一种碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料的增密方法 1-5
464、2013103115534 高耐磨氮化硅陶瓷的生产方法 1-4
465、2013103470574 一种凝胶注模成型、无压烧结制备氮化硅人工陶瓷关节的方法 1-6
466、201310386114 一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-10
467、2013103896083 一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法 1-6
468、2013104004986 一种钛合金和氮化硅陶瓷的钎焊连接方法 1-6
469、2013104048895 一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法 1-5
470、2013104232982 一种氮化硅陶瓷纤维的制备方法 1-9
471、2013104643706 低压铸造用氮化硅复合陶瓷升液管及其制备方法 1-7
472、2013104713056 一种致密化氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-12
473、2013104879649 超低气孔率氮化硅陶瓷轴承球及其制造方法 1-14
474、2013105282940 一种氮化硅陶瓷球的制备工艺 1-4
475、2013106311847 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法 1-10
476、2013106952600 用银铜钛钎料钎焊连接TC4钛合金和氮化硅陶瓷的方法 1-7
477、2013107099776 一种非对称氮化硅陶瓷中空纤维管膜的制备方法 1-9
478、2014100012117 一种氮化硅-碳化钨钛纳米复合陶瓷刀具材料的制备方法 1-6
479、2014100640436 多相高强度、高耐磨氮化硅陶瓷刀具材料及刀具 1-8
480、2014100640811 多相高强度、高耐磨氮化硅陶瓷刀具材料及刀具的制备方法 1-8
481、2014100640972 高强度、导热性好的氮化硅陶瓷刀具材料及刀具的制备方法 1-7
482、2014100642450 多相高强度、导热性好的氮化硅陶瓷刀具材料及刀具 1-7
483、2014100959899 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法 1-10
484、2014101012383 一种碳氮化硅陶瓷用聚碳硅氮烷前驱体及其制备方法 1-9
485、2014101081491 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法 1-10
486、2014101207837 一种氮化硅蜂窝陶瓷的制备方法 1-8
487、2014101207983 一种低成本氮化硅蜂窝陶瓷的制备方法 1-8
488、2014101422299 一种氮化硅陶瓷微珠制备低密度油井固井水泥试块的方法 1-9
489、2014101422301 氧化钐氮化硅陶瓷复合微珠制备油井固井水泥试块的方法 1-9
490、2014101585262 耐磨氮化硅陶瓷材料及其制备方法 1-5
491、2014101605904 一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法 1-19
492、2014102520640 利用成份梯度设计制备高强高韧性层状氮化硅陶瓷的工艺 1-7
493、2014102616094 一种水泵水封用氮化硅陶瓷材料的制备工艺 1-6
494、2014102879865 一种氮化硅陶瓷的制备方法 1-6
495、2014103499952 低压铸造用高纯氮化硅陶瓷升液管的微波烧结制备方法 1-13
496、2014103818623 一种氧化铝和碳化钛及氮化硅复合增强硼化锆基多元纳米复合陶瓷模具 1-7
497、2014103860461 一种制备金属镍-氮化硅陶瓷复合材料的工艺 1-7
498、2014104202394 一种氮化硅陶瓷的制备方法 1-4
499、2014104692919 一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-9
500、2014104726563 一种氮化硅陶瓷化学机械抛光的方法 1-6
501、2014104915940 一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法 1-7
502、2014105215739 一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法 1-6
503、2014105398301 一种具有球形孔结构的多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法 1-13
504、2014105485757 一种制备梯度多孔氮化硅陶瓷材料的方法 1-8
505、2014105629664 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钽泡沫陶瓷的制备方法 1-4
506、2014105629679 一种氮化硅、碳化硅结合二硼化铌泡沫陶瓷的制备方法 1-4
507、2014105629683 一种氮化硅、碳化硅结合碳化二钼泡沫陶瓷的制备方法 1-4
508、2014105630619 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法 1-4
509、2014105630623 一种氮化硅、碳化硅结合碳化铌泡沫陶瓷的制备方法 1-4
510、2014105631310 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钨泡沫陶瓷的制备方法 1-4
511、2014105631518 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钼泡沫陶瓷的制备方法 1-4
512、2014105631522 一种氮化硅结合碳化硅泡沫陶瓷的制备方法 1-4
513、2014105631537 一种氮化硅、碳化硅结合氮化铝泡沫陶瓷的制备方法 1-4
514、201410563207 一种氮化硅、碳化硅结合碳化硼泡沫陶瓷的制备方法 1-4
515、2014105632084 一种氮化硅、碳化硅结合二硼化钒泡沫陶瓷的制备方法 1-4
516、2014105632101 一种氮化硅、碳化硅结合六硼化镧泡沫陶瓷的制备方法 1-4
517、201410563221 一种氮化硅、碳化硅结合硼化二钨泡沫陶瓷的制备方法 1-4
518、2014105632224 一种氮化硅、碳化硅结合二硼化钛泡沫陶瓷的制备方法 1-4
519、2014105632328 一种氮化硅、碳化硅结合硼化铪泡沫陶瓷的制备方法 1-4
520、2014105632332 一种氮化硅、碳化硅结合硼化锆泡沫陶瓷的制备方法 1-4
521、2014105655512 一种氮化硅、碳化硅结合碳化钛泡沫陶瓷的制备方法 1-4
522、2014105684638 一种氮化硅复合陶瓷发热体材料及其制备方法 1-10
523、2014105809722 一种氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备方法 1-4
524、2014105902736 一种废橡胶轮胎颗粒 氮化硅复合的陶瓷喷嘴及其制作方法 1-4
525、2014105902990 一种氮化硅陶瓷及其制备方法 1-4
526、2014105914589 一种纳米氮化硅耐磨陶瓷喷嘴及其制作方法 1-4
527、2014106220541 一种切削工具用氮化硅基陶瓷及其制备方法 1-5
528、2014106383708 高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法 1-7
529、2014106575661 一种非晶态氮化硼与碳化硅复合陶瓷粉体及其制备方法 1-10
530、2014107574007 一种基于尼龙纤维为造孔剂制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法 1-8
531、2014107574098 一种基于碳纤维为造孔剂制备定向多孔氮化硅陶瓷的方法 1-7
532、2014108334180 一种纳米级六方氮化硼 二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法 1-8
533、2014108494902 一种碳化锆-碳化硅-氮化硅超高温陶瓷复合材料的制备方法 1-6
534、2015100247418 一种多孔氮化硅 碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 1-6
535、2015100645970 氮化硅-碳化铪复相陶瓷的制备方法 1-6
536、2015100671227 一种氮化硅基导电陶瓷的制备方法及氮化硅基导电陶瓷刀具的成型方法 1-11
537、2015100703548 一种利用氮化硅铁粉末制备块体陶瓷材料的方法 1-9



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